特許
J-GLOBAL ID：201403075606473627

半導体装置

発明者：
岡部 康寛

岡部 康寛 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-080985
公開番号（公開出願番号）：特開2014-204626
出願日： 2013年04月09日
公開日（公表日）： 2014年10月27日
要約：
【課題】インダクタで生じる輻射ノイズの増加を抑えた半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】半導体装置10は、リードフレームRMと、リードフレームRMの主面側MFに搭載されたMIC18と、リードフレームRMの裏面側BFに密着して搭載されたインダクタ12と、リードフレームRM、MIC18、およびインダクタ12を樹脂封止する樹脂体14と、を備える。インダクタ12は強磁性体の八角柱状コアであり、インダクタ12の軸Pに対応する位置にMIC18を配置し、インダクタ12の端子B,C間にMIC18に流れる主電流の配線を配置する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
リードフレームと、 前記リードフレームの主面側に搭載されたIC素子と、 前記リードフレームの裏面側に搭載されたインダクタと、 前記リードフレーム、前記IC素子、および前記インダクタを樹脂封止する樹脂体と、 を備え、 前記インダクタと前記リードフレームとは密着されて、 前記インダクタが強磁性体の八角柱状コアまたは円柱状コアであり、 前記インダクタの軸に対応する位置に前記IC素子を配置し、 前記インダクタと前記IC素子とは電気的に接続され、 前記インダクタの端子間に前記IC素子に流れる主電流の配線を配置したことを特徴と する半導体装置。
IPC (2件)：
H02M 3/155 ,  H01L 23/50
FI (3件)：
H02M3/155 E ,  H01L23/50 K ,  H02M3/155 Z
Fターム (13件)：
5F067AA00 ,  5F067CD10 ,  5H730AA02 ,  5H730AS01 ,  5H730BB13 ,  5H730DD04 ,  5H730EE59 ,  5H730FD01 ,  5H730FG01 ,  5H730ZZ04 ,  5H730ZZ09 ,  5H730ZZ11 ,  5H730ZZ17
引用特許：
審査官引用 (2件)

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