特許

J-GLOBAL ID：201403075967884850

バリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ

発明者： 石井 辰也 ,  石田 慶介 ,  遠藤 誠
出願人/特許権者： TDK株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-059681
公開番号（公開出願番号）：特開2014-187102
出願日： 2013年03月22日
公開日（公表日）： 2014年10月02日
要約：

【課題】小型であっても十分な静電容量を有し、比抵抗や耐電圧性に優れ、かつ定格電圧の高いバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】半導体セラミック層10と内部電極層20とが交互に積層されてなるバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサであって、前記半導体セラミック層は、チタン酸ストロンチウムを主成分とし、かつSrとTiのモル比が1.020<Sr/Ti<1.100であり、Ti100モルに対して、希土類元素を1.2モル以上3.2モル以下、及び、Mn、Co、Ni、Crのうち少なくとも1種を0.30モル以上1.00モル以下含む半導体セラミック組成物で形成されており、平均結晶粒子径が0.05μm以上1.00μm以下でありかつ結晶相としてSrTiO3及びSr3Ti2O7を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体セラミック層と内部電極層とが交互に積層されてなる半導体コンデンサ素体と、該コンデンサ素体の両端部に前記内部電極層と電気的に接続された外部電極とを有するバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサであって、 前記半導体セラミック層は、 チタン酸ストロンチウムを主成分とし、かつSrとTiのモル比が1.020<Sr/Ti<1.100であり、 Ti100モルに対して、希土類元素を1.2モル以上3.2モル以下、および、Mn、Co、Ni、Crのうち少なくとも1種を0.30モル以上1.00モル以下含む半導体セラミック組成物で形成されており、 平均結晶粒子径が0.05μm以上1.00μm以下であり、 かつ結晶相としてSrTiO3およびSr3Ti2O7を含むことを特徴とするバリスタ機能付き積層型半導体セラミックコンデンサ。

IPC (2件)：

H01G 4/12 ,  H01G 4/30

FI (2件)：

H01G4/12 358 ,  H01G4/30 301F

Fターム (7件)：

5E001AB03 ,  5E001AE01 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E082AB03 ,  5E082BB02 ,  5E082DD04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 粒界絶縁型半導体セラミックコンデンサの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-206731   出願人：松下電器産業株式会社
• 積層型セラミック電子部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-066766   出願人：松下電器産業株式会社