特許
J-GLOBAL ID：201403076155458110

エピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法およびエピタキシャル成長装置炉内の汚染評価方法

発明者：
佐々木 駿

佐々木 駿 について

, 
門野 武

門野 武 について

, 
栗田 一成

栗田 一成 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (2件)： 杉村 憲司 ,  川原 敬祐
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249659
公開番号（公開出願番号）：特開2014-099478
出願日： 2012年11月13日
公開日（公表日）： 2014年05月29日
要約：
【課題】エピタキシャル層中の不純物金属の濃度を高精度に測定することが可能なエピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハ10の表層部をゲッタリング層16とする工程と、このゲッタリング層16上にエピタキシャル層20を成長させて、エピタキシャルシリコンウェーハを作製する工程と、このエピタキシャルシリコンウェーハに対して熱処理を施す工程と、前記熱処理後に、エピタキシャル層20中の不純物金属22の濃度をDLTS法により測定する工程と、を有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
シリコンウェーハの表層部をゲッタリング層とする工程と、 該ゲッタリング層上にエピタキシャル層を成長させて、エピタキシャルシリコンウェーハを作製する工程と、 該エピタキシャルシリコンウェーハに対して熱処理を施す工程と、 前記熱処理後に、前記エピタキシャル層中の不純物金属の濃度をDLTS法により測定する工程と、 を有することを特徴とするエピタキシャルシリコンウェーハの汚染評価方法。
IPC (4件)：
H01L 21/66 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/20
FI (4件)：
H01L21/66 L ,  H01L21/205 ,  H01L21/322 J ,  H01L21/20
Fターム (22件)：
4M106AA01 ,  4M106CB01 ,  4M106DH56 ,  4M106DH60 ,  5F045AA03 ,  5F045AB02 ,  5F045AC02 ,  5F045AC05 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045GB11 ,  5F045GB12 ,  5F045HA05 ,  5F045HA06 ,  5F152LL03 ,  5F152LM09 ,  5F152MM18 ,  5F152NN03 ,  5F152NQ03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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