特許

J-GLOBAL ID：201403078368471709

半導体装置および半導体装置の作製方法

発明者： 笹川 慎也 ,  藤木 寛士
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-132426
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029994
出願日： 2013年06月25日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：

【課題】酸化物半導体膜上に接してソース電極層及びドレイン電極層を形成する場合、半導体装置の形状不良の発生を抑えるトランジスタを提供する。また、ソース電極層及びドレイン電極層上に形成するゲート絶縁膜の膜厚や酸化物半導体膜の膜厚が小さくても段切れが生じにくい断面形状を有するソース電極層及びドレイン電極層を形成する。【解決手段】絶縁表面上に結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜の一部上に接して電極層を形成し、濃度が0.0001%より高く0.25%以下の希フッ酸に曝すことで酸化物半導体膜の露出部の膜厚を小さくする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁表面上に結晶構造を有する酸化物半導体膜を形成し、 前記酸化物半導体膜の一部上に接して電極層を形成し、 濃度が0.0001%より高く0.25%以下の希フッ酸に曝すことで前記酸化物半導体膜の露出部の膜厚を小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (10件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/306 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/14

FI (10件)：

H01L29/78 618D ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618C ,  H01L27/10 321 ,  H01L27/10 434 ,  H01L29/78 371 ,  H01L21/306 B ,  H05B33/14 A ,  H05B33/14 Z

Fターム (121件)：

3K107AA01 ,  3K107AA05 ,  3K107BB01 ,  3K107CC11 ,  3K107CC21 ,  3K107CC45 ,  3K107EE03 ,  5F043AA18 ,  5F043BB12 ,  5F083AD69 ,  5F083EP02 ,  5F083EP21 ,  5F083ER21 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083PR05 ,  5F083ZA01 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA01 ,  5F101BB01 ,  5F101BD12 ,  5F101BD30 ,  5F101BD39 ,  5F101BE07 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110BB04 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE11 ,  5F110EE14 ,  5F110EE30 ,  5F110EE31 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG07 ,  5F110GG13 ,  5F110GG17 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG43 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL12 ,  5F110HM02 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN62 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタの製造方法、及び薄膜トランジスタ並びに表示装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-044077   出願人：日本ゼオン株式会社
• 液晶表示装置、及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-196782   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• Zn酸化物系薄膜トランジスタとその製造方法、及びZn酸化物のエッチング溶液とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-162184   出願人：三星電子株式会社
• 半導体装置の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-243739   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所