特許

J-GLOBAL ID：201403078394486757

Ga含有酸化物層成長用β-Ga2O3系単結晶基板

発明者： 佐々木 公平
出願人/特許権者： 株式会社タムラ製作所
代理人 (4件)： 平田 忠雄 ,  岩永 勇二 ,  遠藤 和光 ,  伊藤 浩行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-096526
公開番号（公開出願番号）：特開2014-177400
出願日： 2014年05月08日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：

【課題】β-Ga2O3系単結晶基板上に形成されるGa含有酸化物層の高品質化を図ることができるGa含有酸化物層成長用β-Ga2O3系単結晶基板を提供する。【解決手段】Ga含有酸化物層成長用β-Ga2O3系単結晶基板は、β-Ga2O3系単結晶からなり、その(010)面、又は(010)面に対して37.5°以内の角度範囲で傾斜した面を主面とする。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

β-Ga2O3系単結晶からなり、その(010)面、又は(010)面に対して37.5°以内の角度範囲で傾斜した面を主面とするGa含有酸化物層成長用β-Ga2O3系単結晶基板。

IPC (5件)：

C30B 29/16 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 21/28

FI (3件)：

C30B29/16 ,  H01L29/80 H ,  H01L21/28 301B

Fターム (35件)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BB10 ,  4G077BC01 ,  4G077DA05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA06 ,  4G077SC01 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB09 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029JA02 ,  4M104AA03 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ01 ,  5F102GL01 ,  5F102GL07 ,  5F102GM01 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR07

引用特許：

審査官引用 (2件)

• β-Ga2O3系単結晶成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-046552   出願人：学校法人早稲田大学
• Ga2O3系発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-137916   出願人：学校法人早稲田大学