特許
J-GLOBAL ID：200903026154676915
Ga2O3系発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-137916
公開番号（公開出願番号）：特開2004-342857
出願日： 2003年05月15日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】紫外領域で発光するGa2O3系発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】この発光素子1は、β-Ga2O3単結晶からなるn型基板2と、このn型基板2の上面に形成されたβ-Ga2O3単結晶からなるp型導電性を示すp型層3と、このp型層3の上面に形成される透明電極4と、透明電極4の一部に形成されるボンディング電極6と、n型基板2の下面の全面に形成されるn電極5とを備える。発光素子1は、n型基板2とp型層3とを接合することとしたため、その接合部において、n型基板2内の電子とp型層3内の正孔とが互いに接合部に向い、それらが接合部付近で再結合するために、接合部付近が発光する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Ga2O3系単結晶からなるn型導電性を示す第1の層と、
前記第1の層上に形成されたGa2O3系単結晶からなるp型導電性を示す第2の層とを備えることを特徴とするGa2O3系発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F041AA42
, 5F041CA02
, 5F041CA04
, 5F041CA46
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA67
, 5F041CA85
, 5F041DA04
, 5F041DA09
