特許
J-GLOBAL ID：201403080192812436
超臨界流体を利用する基板処理装置、及びこれを含む基板処理システム
出願人/特許権者：
三星電子株式会社
三星電子株式会社 について
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-048050
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175669
出願日： 2014年03月11日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：
【課題】パーティクルや汚染物の発生を実質的に抑制するか、或いは最小化できる超臨界流体を利用する基板処理装置、これを含む基板処理システムを提供する。【解決手段】本発明による基板処理システムは超臨界流体により基板を処理する処理装置と、前記超臨界流体を前記処理装置へ供給する供給装置とを含む。前記処理装置は前記超臨界流体によって前記基板を処理する超臨界工程領域と、前記超臨界流体が膨脹した後、前記超臨界工程領域に提供されて前記超臨界工程領域を超臨界状態に到達させる前超臨界工程領域とを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
超臨界流体が提供される前超臨界工程領域と、
前記前超臨界工程領域と前記超臨界流体をやり取りし、前記超臨界流体を利用して基板を処理できる超臨界工程領域と、を含み、
前記前超臨界工程領域は前記超臨界流体が前記超臨界工程領域に提供される以前に膨脹するように構成され、
前記前超臨界工程領域と前記超臨界工程領域とは互いに区画されていることを特徴とする基板処理装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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基板処理装置及び基板処理方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2012-163299 出願人：セメス株式会社 -
微細構造乾燥処理法とその装置及びその高圧容器
公報種別：公開公報 出願番号：特願2003-128592 出願人：株式会社日立サイエンスシステムズ -
高圧処理方法および高圧処理装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願2002-307349 出願人：株式会社神戸製鋼所, 大日本スクリーン製造株式会社
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