エピタキシャルリフトオフを用いた薄膜INPベースの太陽電池

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：平木祐輔 , 関谷三男 , 渡辺敏章 , 松丸秀和 , 今村健一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-533407
公開番号（公開出願番号）：特表2014-531771
出願日： 2012年09月28日
公開日（公表日）： 2014年11月27日
要約：

InP基板上に格子整合されて成長され、又はGaAs基板上のメタモルフィック層上に成長され、基板が後にエピタキシャルリフトオフ(ELO)技術によって非破壊的手法で剥離される単接合又は多接合InPベースの太陽電池の製造方法及びこれを用いて製造されたデバイスを開示する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基板を有さない薄膜InPベースの太陽電池において、窓層と、第1のサブセルと、引張応力が加わる薄膜バッキング層とを備え、前記第1のサブセルは、前記窓層と前記薄膜バッキング層との間に配置される太陽電池。

IPC (2件)：

H01L 31/069 , H01L 31/068

FI (2件)：

H01L31/06 320 , H01L31/06 310

Fターム (10件)：

5F151AA08 , 5F151BA02 , 5F151CB10 , 5F151CB12 , 5F151CB13 , 5F151CB21 , 5F151DA03 , 5F151DA19 , 5F151GA02 , 5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭61-110470
半導体装置の製造方法、半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-211815 出願人：シャープ株式会社
改良されたモノリシツクなタンデム型太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-103246 出願人：アメリカ合衆国

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