III-V化合物薄膜太陽電池の加工方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (11件)：清水初志 , 春名雅夫 , 山口裕孝 , 刑部俊 , 井上隆一 , 佐藤利光 , 新見浩一 , 小林智彦 , 渡邉伸一 , 大関雅人 , 川本和弥
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-514876
公開番号（公開出願番号）：特表2010-532576
出願日： 2008年07月03日
公開日（公表日）： 2010年10月07日
要約：

本発明は、基板とIII-V化合物薄膜太陽電池との間のエピタキシャル成長に犠牲層が含まれているエピタキシャル・リフトオフを利用する。基板の不在下においてIII-V化合物薄膜太陽電池を支持するために、基板から分離する前に、III-V化合物薄膜太陽電池の表面にバッキング層を適用する。III-V化合物薄膜太陽電池を基板から分離するために、犠牲層をエピタキシャル・リフトオフの一部として除去する。基板をIII-V化合物薄膜太陽電池から分離した後、この基板をその後別のIII-V化合物薄膜太陽電池の形成に再利用してもよい。

請求項（抜粋）：

以下を含む、III-V化合物薄膜太陽電池の加工方法: 基板を用意する工程; 該基板上に犠牲層を形成する工程; 該犠牲層上に活性層を形成する工程; 該活性層上にバッキング層を形成する工程;および III-V化合物薄膜太陽電池を該基板から分離するために、該活性層と該基板との間から該犠牲層を除去する工程。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 E

Fターム (7件)：

5F151AA08 , 5F151CB08 , 5F151CB10 , 5F151CB21 , 5F151CB30 , 5F151GA04 , 5F151HA01

引用特許：

審査官引用 (5件)

太陽電池の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-030583 出願人：キヤノン株式会社
化合物太陽電池およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-123328 出願人：シャープ株式会社
化合物半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-326947 出願人：シャープ株式会社

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