特許
J-GLOBAL ID：200903042158581400

半導体装置の製造方法、半導体装置

発明者：
高橋 直

高橋 直 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211815
公開番号（公開出願番号）：特開2006-032784
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2006年02月02日
要約：
【課題】 面積の大きな半導体層を高速にリフトオフすることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板2上にエッチング層6を介して半導体層3を形成する工程と、半導体層3上にエッチングマスク10を形成する工程と、エッチングマスク10上に支持基板11を接着する工程と、エッチング層6を除去することにより半導体層3をリフトオフする工程とを含み、エッチング層6を除去する際に、支持基板11は、半導体基板2および半導体層3に対して引張応力を加えていることを特徴とする。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
半導体基板上にエッチング層を介して半導体層を形成する工程と、半導体層上にエッチングマスクを形成する工程と、エッチングマスク上に支持基板を接着する工程と、エッチング層を除去することにより半導体層をリフトオフする工程とを含み、エッチング層を除去する際に、支持基板は、半導体基板および半導体層に対して引張応力を加えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 E
Fターム (7件)：
5F051AA08 ,  5F051BA12 ,  5F051CB08 ,  5F051CB21 ,  5F051CB29 ,  5F051FA16 ,  5F051GA04
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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