EUV露光用マスクおよびEUV露光用マスクの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-072948
公開番号（公開出願番号）：特開2014-197628
出願日： 2013年03月29日
公開日（公表日）： 2014年10月16日
要約：

【課題】EUVマスクにおいて、射影効果の影響を抑制する事によりウェハ露光パターンの位置ずれや歪みを低減させる事が可能となると共に、露光パターン以外の領域からのEUVおよびDUVの反射を除去する事を特徴とするEUV用反射型マスク及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板上の主面上に犠牲膜、主面と反対の面に裏面導電膜が形成されたEUVマスク用ブランクスを準備し、犠牲膜を選択的に除去し、多層反射膜を基板上に埋め込み、不用な多層反射膜と犠牲膜を選択的に除去する事で露光パターンを形成する。加えて裏面導電膜を透明導電膜等DUV光の反射を抑制する膜により形成する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

EUV光を露光光とするEUV露光用マスクであって、基板の一方の面に溝が形成され、溝には多層反射膜が開口部まで積層され、基板の他方の面に透明導電膜が形成されたことを特徴とするEUV露光用マスク。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 1/24

FI (2件)：

H01L21/30 531M , G03F1/24

Fターム (9件)：

2H095BB14 , 2H095BB25 , 2H095BC17 , 2H095BC24 , 5F146GD15 , 5F146GD16 , 5F146GD17 , 5F146GD20 , 5F146GD24

引用特許：

審査官引用 (4件)

光学素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-307302 出願人：株式会社日立製作所
マスクブランクスとその製造方法及び使用方法、並びにマスクとその製造方法及び使用方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-085976 出願人：株式会社東芝
レーザ反射型マスク及びその製造方法
公報種別：公表公報出願番号：特願2011-550075 出願人：ダブリュアイ-エー・コーポレーション

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