特許

J-GLOBAL ID：201403082372927528

多層グラフェン製造用圧延銅箔、及び多層グラフェンの製造方法

発明者： 千葉 喜寛
出願人/特許権者： JX日鉱日石金属株式会社
代理人 (3件)： 赤尾 謙一郎 ,  下田 昭 ,  栗原 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-273094
公開番号（公開出願番号）：特開2014-118314
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2014年06月30日
要約：

【課題】多層グラフェンを低コストで生産可能な多層グラフェン製造用圧延銅箔及びそれを用いた多層グラフェンの製造方法を提供する。【解決手段】X線光電子分光により、表面にSi又はTiが0.1原子%以上存在する多層グラフェン製造用圧延銅箔である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

X線光電子分光により、表面にSi又はTiが0.1原子%以上存在する多層グラフェン製造用圧延銅箔。

IPC (7件)：

C01B 31/02 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/00 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  C22C 9/10

FI (7件)：

C01B31/02 101Z ,  C22C9/02 ,  C22C9/00 ,  C22C9/04 ,  C22C9/05 ,  C22C9/06 ,  C22C9/10

Fターム (19件)：

4G146AA01 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20B ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146AD40 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC33B ,  4G146BC34B ,  4G146BC42 ,  4G146BC43 ,  4G146CB01 ,  4G146CB12 ,  4G146CB15 ,  4G146CB17

引用特許：

審査官引用 (4件)

• グラフェンシート及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-277065   出願人：三星電子株式会社
• 成膜方法、炭素膜、電子部品および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-028383   出願人：セイコーエプソン株式会社
• グラフェン製造用銅箔、及びグラフェンの製造方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2012064077   出願人：JX日鉱日石金属株式会社
• グラフェン製造用銅箔及びそれを用いたグラフェンの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-127973   出願人：JX日鉱日石金属株式会社