特許

J-GLOBAL ID：201403082706065662

メモリコントローラ及びそれを含むメモリシステム

発明者： 金 武 星 ,  鄭 多 ▲ウン▼
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-043058
公開番号（公開出願番号）：特開2014-175040
出願日： 2014年03月05日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】不揮発性メモリ装置を制御するメモリコントローラの動作方法が提供される。【解決手段】外部の書き込み要求に応答して不揮発性メモリの各ワード線の上位ページの状態を示すプログラムデプスビットマップを管理し、外部の読み取り要求のときにアクセスされたワード線に対応する前記プログラムデプスビットマップの情報に基づいて複数の読み取りコマンドのうち一つを前記不揮発性メモリに出力する。【選択図】 図7

請求項（抜粋）：

不揮発性メモリを制御する不揮発性メモリ保存装置の動作方法に於いて、 外部の書き込み要求に応答して前記不揮発性メモリの各ワード線に対する上位ページのプログラム状態を示すプログラムデプスビットマップを管理し、外部の読み取り要求時にアクセスされるワード線に対応する前記プログラムデプスビットマップの情報に基づいて複数の読み取りコマンドのうちの一つを前記不揮発性メモリに出力することを特徴とする動作方法。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/06

FI (4件)：

G11C17/00 613 ,  G11C17/00 601E ,  G11C17/00 631 ,  G11C17/00 641

Fターム (16件)：

5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125DA01 ,  5B125DA09 ,  5B125DD01 ,  5B125DE08 ,  5B125DE20 ,  5B125EA05 ,  5B125EA10 ,  5B125EK01 ,  5B125EK02 ,  5B125FA01 ,  5B125FA02 ,  5B125FA06 ,  5B125FA10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-281297   出願人：株式会社東芝
• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-160143   出願人：東芝情報システム株式会社, 株式会社東芝
• 特許第7672162号