特許
J-GLOBAL ID：201303020579929234

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
常盤 直哉

常盤 直哉 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-281297
公開番号（公開出願番号）：特開2013-131275
出願日： 2011年12月22日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：
【課題】多値記憶の可能なメモリセルの読み出し時間を短くする。【解決手段】メモリセルアレイの3一部に設けられ、メモリセルアレイ3のロウアービットのみの書き込み状態とロウアービットおよびアッパービットの双方の書き込み状態とを区別する第2のフラグデータを保持する第2のフラグセル4bに外部からアクセスできるようにする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
3値以上のデータを保持可能なメモリセルが配置されたメモリセルアレイと、 前記メモリセルアレイの外部からのアクセス禁止領域に設けられたフラグセルと、 前記メモリセルアレイの書き込み状態に基づいて、前記フラグセルに書き込まれるフラグデータを生成するフラグデータ生成部と、 外部から与えられるコマンドに基づいて、外部からの前記フラグデータの読み出しを許容するアクセス禁止解除部とを備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04
FI (3件)：
G11C17/00 613 ,  G11C17/00 622E ,  G11C17/00 641
Fターム (11件)：
5B125BA02 ,  5B125BA19 ,  5B125CA01 ,  5B125DA03 ,  5B125DB02 ,  5B125DD04 ,  5B125DE20 ,  5B125EA05 ,  5B125EA10 ,  5B125FA01 ,  5B125FA04
引用特許：
審査官引用 (4件)
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