特許
J-GLOBAL ID：201403082952301391
飽和電圧推定方法及びシリコンエピタキシャルウエハの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
木下 茂
, 石村 理恵
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-044619
公開番号（公開出願番号）：特開2014-199253
出願日： 2014年03月07日
公開日（公表日）： 2014年10月23日
要約：
【課題】エピタキシャル層の炭素濃度が5×1014atoms/cm3以下のシリコンエピタキシャルウエハから半導体デバイスを高い歩留りで作成するのに有利な技術を提供する。【解決手段】シリコンエピタキシャルウエハのエピタキシャル層が含んでいる炭素を発光活性化し、発光活性化した炭素を発光させて、炭素に由来する発光の強度又は強度比を求める。この強度又は強度比とコレクタ・エミッタ間飽和電圧との関係を予め調べておく。シリコンエピタキシャルウエハの製造ロットから一部のウエハを抜き出し、このウエハについて上記発光強度又は強度比を求める。この強度又は強度比を上記関係に参照することにより、先の製造ロットの合否を判定する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
2以上の第1シリコンエピタキシャルウエハから各々がなる複数の第1ロットを準備する第1工程であって、前記複数の第1ロットは、炭素濃度が5×1014atoms/cm3以下のシリコン層をエピタキシャル成長法で2以上の第1ウエハに同時に形成するプロセスを複数回行うことによって得られたものである第1工程と、
前記複数の第1ロットの各々について、前記2以上の第1シリコンエピタキシャルウエハの一部に粒子線を照射して前記シリコン層中の炭素不純物を発光活性化させ、更に前記シリコン層に励起光を照射して発光を生じさせ、前記炭素不純物に由来する発光の強度又は強度比を求めるとともに、前記2以上の第1シリコンエピタキシャルウエハの残りから、コレクタとエミッタとを各々が備えた1以上の半導体デバイスを作成して、各デバイスのコレクタ・エミッタ間飽和電圧を測定し、これにより、前記強度又は強度比と前記飽和電圧値との関係を求める第2工程と、
2以上の第2シリコンエピタキシャルウエハからなる第2ロットを準備する第3工程であって、前記第2ロットは、炭素濃度が5×1014atoms/cm3以下のシリコン層をエピタキシャル成長法で2以上の第2ウエハに同時に形成するプロセスを行うことによって得られたものである第3工程と、
前記2以上の第2シリコンエピタキシャルウエハの一部に粒子線を照射して前記シリコン層中の炭素不純物を発光活性化させ、更に前記シリコン層に励起光を照射して発光を生じさせ、前記炭素不純物に由来する発光の強度又は強度比を求め、この強度又は強度比を前記関係に参照することにより、前記2以上の第2シリコンエピタキシャルウエハの残りから作成される、コレクタとエミッタとを備えた半導体デバイスのコレクタ・エミッタ間飽和電圧を推定する第4工程と
を含んだ飽和電圧の推定方法。
IPC (5件)：
G01N 21/64
, H01L 29/739
, H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/66
G01N21/64 Z
, H01L29/78 655Z
, H01L29/78 658L
, H01L21/66 L
2G043AA01
, 2G043AA03
, 2G043BA07
, 2G043CA05
, 2G043EA01
, 2G043EA11
, 2G043FA06
, 4M106AA01
, 4M106BA02
, 4M106BA14
, 4M106CA18
, 4M106CA19
, 4M106CB01
, 4M106DJ18
