特許
J-GLOBAL ID：201403083495995583
窒化物半導体基板の製造方法
発明者：
,
,
,
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
特許業務法人あーく特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-038105
公開番号（公開出願番号）：特開2014-162713
出願日： 2013年02月28日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：
【課題】窒化物半導体基板の製造において、種基板の主面に窒化物半導体層を結晶成長させる際に、反りが低減された種基板に窒化物半導体層を結晶成長させることによって、結晶軸の配向性の良い良質な窒化物半導体基板を製造する製造方法を提供する。【解決手段】基板11の主面に種結晶12を有する種基板10を、窒化物半導体層13の結晶成長に最適な温度まで昇温し、種結晶12上に窒化物半導体層13を結晶成長させた後に、窒化物半導体層13と種基板10とを剥離して窒化物半導体基板1を製造する製造方法であって、種基板10の製造時に、予め、昇温によって種基板10が反る量に相当する反り量を、昇温によって種基板10が反る方向と逆向きに、種基板10を反らせておく。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板の主面に種結晶を有する種基板を、窒化物半導体層の結晶成長に最適な温度まで昇温し、前記種結晶上に前記窒化物半導体層を結晶成長させた後に、前記窒化物半導体層と前記種基板とを剥離して窒化物半導体基板を製造する製造方法であって、
前記種基板の製造時に、予め、前記昇温によって前記種基板が反る量に相当する反り量を、前記昇温によって前記種基板が反る方向と逆向きに、前記種基板を反らせておくことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (16件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CG01
, 4G077CG06
, 4G077ED01
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EE07
, 4G077FJ03
, 4G077HA02
, 4G077HA06
, 4G077HA12
, 4G077QA01
, 4G077QA12
, 4G077QA71
, 4G077QA74
