特許
J-GLOBAL ID:201403084067595518
有機薄膜トランジスタを用いたセンサーデバイス
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
木下 茂
, 石村 理恵
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-063235
公開番号(公開出願番号):特開2014-190699
出願日: 2013年03月26日
公開日(公表日): 2014年10月06日
要約:
【課題】高感度でダイナミックレンジの広い検出能力を持つと共に、センシング情報を電圧信号として取り出すことができるセンサーデバイスを提供すること。【解決手段】第1ないし第4の同チャンネル型のトランジスタTr1〜Tr4により相補型回路が構成され、そのいずれかのトランジスタが有機TFTにより構成されてセンサー素子として利用される。センサー素子として利用される有機TFTは、物理変化を受けてもしくは特定の物質の吸着により電気特性が変化する機能を果たし、相補型回路を構成する他方のトランジスタは、センサー感度を持たない構成とされる。 センサーデバイスは相補型回路を構成するので、ダイナミックレンジの広い検出能力を持たせることができ、センサー出力は電圧値としてもたらされるので、外付けの回路構成を簡素化させることにも寄与できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
第1ないし第4の同チャンネル型のトランジスタが備えられ、前記第1および第2トランジスタの各ドレインおよびソース電極が動作電源間に直列接続されると共に、前記第2トランジスタのドレインおよびゲート電極が接続されて短絡され、前記第3および第4トランジスタの各ドレインおよびソース電極が動作電源間に直列接続されると共に、前記第4トランジスタのゲート電極に前記第2トランジスタのドレイン電極が接続され、
かつ、前記第1および第3トランジスタのゲート電極が入力電圧端子になされ、前記第3トランジスタのソース電極と前記第4トランジスタのドレイン電極との接続点が電圧出力端子になされることで相補型回路が構成され、
前記第1ないし第4のトランジスタのうちの少なくともいずれか一つが有機薄膜トランジスタにより構成してセンサー素子として利用され、前記入力電圧端子に供給される入力電圧に対する前記電圧出力端子にもたらされる出力電圧の変化を、センサー出力とすることを特徴とするセンサーデバイス。
IPC (6件):
G01L 9/00
, G01N 27/00
, G01N 27/414
, H01L 29/786
, C12M 1/34
, G01D 21/00
FI (7件):
G01L9/00 309
, G01N27/00 J
, G01N27/30 301X
, H01L29/78 618B
, H01L29/78 625
, C12M1/34 Z
, G01D21/00 M
Fターム (44件):
2F055AA40
, 2F055BB20
, 2F055CC60
, 2F055DD19
, 2F055EE39
, 2F055FF11
, 2F055GG49
, 2F076BA01
, 2F076BD05
, 2F076BD07
, 2F076BD10
, 2F076BD11
, 2F076BD13
, 2F076BD15
, 2F076BD19
, 2F076BE01
, 2F076BE02
, 2G060AA01
, 2G060AA07
, 2G060AA15
, 2G060AB02
, 2G060BA07
, 2G060BB10
, 2G060DA00
, 2G060DA15
, 4B029AA07
, 4B029CC02
, 4B029CC08
, 4B029FA12
, 4B029FA15
, 5F110BB09
, 5F110CC03
, 5F110DD02
, 5F110DD12
, 5F110DD25
, 5F110EE03
, 5F110EE43
, 5F110FF01
, 5F110FF27
, 5F110GG05
, 5F110GG25
, 5F110GG42
, 5F110HK02
, 5F110NN78
引用特許:
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