特許
J-GLOBAL ID：201203092067310724

ガスセンサ、及びガスセンサの作製方法

発明者：
鎌田 康一郎

鎌田 康一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-129064
公開番号（公開出願番号）：特開2012-018161
出願日： 2011年06月09日
公開日（公表日）： 2012年01月26日
要約：
【課題】作製工程が簡便であるガスセンサを提供することを課題の一とする。また、作製コストが抑制されたガスセンサを提供することを課題の一とする。【解決手段】ガスセンサの検知素子として機能する、酸化物半導体層がガスと接するトランジスタと、検出回路を構成する、酸化物半導体層がガスバリア性を有する膜に接するトランジスタとを、同一表面上に単一工程で作製し、これらのトランジスタを用いたガスセンサを作製すればよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1のトランジスタを含む検知部と、 第2のトランジスタを含む回路部と、を同一の絶縁表面上に有し、 前記第1のトランジスタは前記絶縁表面上に第1のゲート電極層と、 前記第1のゲート電極層上にゲート絶縁層と、 前記第1のゲート電極層と重なり、一方の面を前記ゲート絶縁層に接し、他方の面を雰囲気と接する第1の酸化物半導体層と、 前記第1の酸化物半導体層と接し、前記第1のゲート電極層と重なる間隙を備える第1のソース電極層、及び第1のドレイン電極層と、を有し、 前記第2のトランジスタは前記絶縁表面上に第2のゲート電極層と、 前記第2のゲート電極層上に前記ゲート絶縁層と、 前記第2のゲート電極層と重なり、一方の面を前記ゲート絶縁層に接し、他方の面を保護絶縁層に接する第2の酸化物半導体層と、 前記第2の酸化物半導体層と接し、前記第2のゲート電極層と重なる間隙を備える第2のソース電極層、及び第2のドレイン電極層と、を有する、ガスセンサ。
IPC (5件)：
G01N 27/00 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/08 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/823
FI (7件)：
G01N27/00 B ,  H01L29/78 613Z ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A ,  H01L27/08 331E ,  H01L27/06 102A ,  G01N27/00 J
Fターム (93件)：
2G060AA01 ,  2G060AB02 ,  2G060AB07 ,  2G060AB08 ,  2G060AB11 ,  2G060AB21 ,  2G060AE19 ,  2G060AF09 ,  2G060BA01 ,  2G060BA07 ,  2G060BB03 ,  2G060BB04 ,  2G060BB08 ,  2G060DA01 ,  2G060DA07 ,  2G060DA10 ,  2G060DA11 ,  2G060DA23 ,  2G060DA29 ,  2G060DA30 ,  5F048AA09 ,  5F048AB10 ,  5F048BA10 ,  5F048BA14 ,  5F048BA16 ,  5F048BB09 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC16 ,  5F048BF01 ,  5F048BF07 ,  5F048BF11 ,  5F048BF12 ,  5F110AA16 ,  5F110BB09 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG17 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN78
引用特許：
出願人引用 (6件)
  • 特開昭54-080197
  • 容量式湿度センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-215655   出願人：株式会社デンソー
  • 表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-229226   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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審査官引用 (4件)
  • 特開昭54-080197
  • 容量式湿度センサ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-215655   出願人：株式会社デンソー
  • 表示装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-229226   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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