特許
J-GLOBAL ID：201403084574290923

炭化珪素半導体装置

発明者：
和田 圭司

和田 圭司 について

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増田 健良

増田 健良 について

, 
日吉 透

日吉 透 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-005132
公開番号（公開出願番号）：特開2014-138048
出願日： 2013年01月16日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
要約：
【課題】素子領域を狭くしすぎることなく耐圧を向上させることができる炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置1は、炭化珪素基板10を備えている。炭化珪素基板10は、半導体素子部7が設けられた素子領域IRと、平面視において素子領域IRを取り囲む終端領域ORとからなる。半導体素子部7は第1導電型のドリフト領域12を含む。終端領域ORは、素子領域IRと接し、かつ第1導電型とは異なる第2導電型の第1の電界緩和領域2と、平面視において第1の電界緩和領域よりも外側に配置され、第2導電型を有し、かつ第1の電界緩和領域2と離間している第2の電界緩和領域3とを含む。第1の電界緩和領域2の幅W1をドリフト領域12の厚みTで除した比は、0.5以上1.83以下である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体素子部が設けられた素子領域と、平面視において前記素子領域を取り囲む終端領域とにより構成された炭化珪素基板を備え、 前記半導体素子部は第1導電型のドリフト領域を含み、 前記終端領域は、 前記素子領域と接し、かつ前記第1導電型とは異なる第2導電型の第1の電界緩和領域と、 前記平面視において前記第1の電界緩和領域よりも外側に配置され、前記第2導電型を有し、かつ前記第1の電界緩和領域と離間している第2の電界緩和領域とを含み、 前記第1の電界緩和領域の幅を前記ドリフト領域の厚みで除した比は、0.5以上1.83以下である、炭化珪素半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/739
FI (10件)：
H01L29/78 652P ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/48 D ,  H01L29/48 E ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 D ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/06 301V
Fターム (23件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104BB21 ,  4M104BB30 ,  4M104BB40 ,  4M104DD26 ,  4M104DD79 ,  4M104DD81 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF32 ,  4M104FF35 ,  4M104GG02 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20
引用特許：
審査官引用 (6件)
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