炭化珪素絶縁ゲート型半導体素子およびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：二島英明 , 森田剛史 , 小副川みさ子 , 戸谷昌弘 , 荻野誠司 , 川口顕
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-031507
公開番号（公開出願番号）：特開2011-171374
出願日： 2010年02月16日
公開日（公表日）： 2011年09月01日
要約：

【課題】高耐圧、高性能化な炭化珪素絶縁ゲート型半導体素子100を提供する。【解決手段】本願発明の炭化珪素絶縁ゲート型半導体素子100の終端構造は、第1の主面137を有する第1導電型の半導体層132と、ゲート電極142およびソース配線101とを備え、外周リサーフ領域105を備え、半導体層132内に第2導電型のボディー領域133、第1導電型のソース領域134、第2導電型のコンタクト領域135、及び第2導電型の外周リサーフ領域105を備え、外周リサーフ領域105は、ボディー領域133を含まない部分の幅が少なくとも半導体層132の厚みの1/2以上であることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持基板上に形成され、支持基板に接する面とは反対側の面を第1の主面とする第1導電型の半導体層と、該主面上に形成された電極および配線とを有する炭化珪素絶縁ゲート型半導体素子であって、前記半導体層は、前記第1の主面を含むように形成された能動領域と、該能動領域の外周を囲むように帯状にかつ前記第1の主面を含むように形成された外周リサーフ領域とを備え、前記能動領域は、平面視多角形をなす仮想的な境界線で囲まれた複数の基本セルが該境界線で接するように隙間無く配置されてなり、前記複数の各基本セルは前記主面において前記多角形と略相似形をなす第2導電型のボディー領域を有し、前記外周リサーフ領域は第2導電型であり、前記能動領域の最外周を構成する基本セルに含まれる前記ボディー領域を含むように形成されており、前記外周リサーフ領域であって前記ボディー領域を含まない部分の幅は、少なくとも前記半導体層の厚みの1/2以上であることを特徴とする炭化珪素絶縁ゲート型半導体素子。

IPC (4件)：

H01L 29/12 , H01L 29/78 , H01L 29/06 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L29/78 652T , H01L29/78 652P , H01L29/78 652S , H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-355628 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-165797 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-262899 出願人：関西日本電気株式会社

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審査官引用 (9件)

半導体装置および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-355628 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-165797 出願人：株式会社東芝
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-262899 出願人：関西日本電気株式会社

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