特許
J-GLOBAL ID：201103016521410733
音響センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-104193
公開番号（公開出願番号）：特開2011-234227
出願日： 2010年04月28日
公開日（公表日）： 2011年11月17日
要約：
【課題】梁部の強度やダイアフラムの支持強度を低下させることなく、梁部のアンカーで固定されていない部分の長さを長くすることのできる音響センサを提供する。【解決手段】シリコン基板32の上面において、ポリシリコンからなる第1犠牲層48の延出部48aの上に、シリコン酸化膜からなる第2犠牲層47を介してポリシリコンからなるダイアフラム33の梁部36aを形成する。延出部48aは、梁部36aの先端部を除く領域の下に形成されている。シリコン基板32に設けたバックチャンバ35から延出部48aをエッチング除去して梁部36aの下面の先端部を除く領域に空洞部50を形成した後、さらに第2犠牲層47をエッチングにより除去する。このとき、梁部36aの先端部下面に第2犠牲層47を残してアンカー37とする。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
バックチャンバを有する半導体基板と、前記半導体基板の上方に配設された振動薄膜と、前記半導体基板の上面に設けたアンカーと、前記振動薄膜から一体的に延出されていて先端部を前記アンカーによって支持された梁部と、空間を隔てて前記振動薄膜及び前記梁部を覆うようにして前記半導体基板の上面に固定されたバックプレートとを備え、前記振動薄膜が検知した音響振動を前記バックプレートに設けた固定電極膜と前記振動薄膜との間の静電容量の変化に変換する音響センサの製造方法であって、
前記半導体基板の表面と前記振動薄膜及び前記梁部の下面との間に第1の犠牲層と第2の犠牲層を形成するとともに、前記振動薄膜及び前記梁部の上面を前記第2の犠牲層で覆って、前記第1の犠牲層及び第2の犠牲層からなる犠牲層内に前記振動薄膜及び前記梁部を設ける工程と、
前記犠牲層の上に前記バックプレートを形成する工程と、
前記半導体基板に前記バックチャンバを形成する工程と、
前記第1の犠牲層をエッチングにより除去する工程と、
前記第1の犠牲層をエッチング除去した後、前記第2の犠牲層の一部をエッチングにより除去して残った第2の犠牲層により前記梁部の先端部下面と前記半導体基板の表面との間に前記アンカーを形成する工程と、
を有することを特徴とする音響センサの製造方法。
IPC (5件)：
H04R 31/00
, H04R 19/04
, B81B 3/00
, B81C 1/00
, H01L 29/84
H04R31/00 C
, H04R19/04
, B81B3/00
, B81C1/00
, H01L29/84 B
, H01L29/84 Z
3C081AA07
, 3C081BA44
, 3C081BA45
, 3C081BA46
, 3C081BA48
, 3C081CA03
, 3C081CA13
, 3C081CA15
, 3C081DA03
, 3C081DA26
, 3C081DA45
, 3C081EA21
, 4M112AA06
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA04
, 4M112CA11
, 4M112CA13
, 4M112CA15
, 4M112DA02
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA05
, 4M112DA06
, 4M112DA11
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA05
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA18
, 4M112FA01
, 4M112FA07
, 4M112FA20
, 4M112GA01
, 5D021CC05
, 5D021CC20
