特許
J-GLOBAL ID：201403085263627629
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
大岩 増雄
, 竹中 岑生
, 村上 啓吾
, 吉澤 憲治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-188418
公開番号（公開出願番号）：特開2012-231187
特許番号：特許第5622814号
出願日： 2012年08月29日
公開日（公表日）： 2012年11月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 MOS構造のトレンチゲートを有する半導体装置において、半導体基板上に設けられたトレンチの内壁に、熱酸化膜とこの熱酸化膜よりもゲート電極側に設けられたCVD酸化膜とからなる積層ゲート酸化膜を備え、前記積層ゲート酸化膜中の窒素濃度は、前記半導体基板及び前記ゲート電極中の窒素濃度よりも高く、且つ、前記積層ゲート酸化膜は、前記熱酸化膜/前記半導体基板界面、及び前記ゲート電極/前記CVD酸化膜界面のうち少なくとも前記熱酸化膜/前記半導体基板界面に窒素が偏析しており、前記熱酸化膜/前記半導体基板界面の窒素濃度が、前記ゲート電極/前記CVD酸化膜界面の窒素濃度よりも高いことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/739 ( 200 6.01)
H01L 29/78 658 F
, H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 Z
