特許
J-GLOBAL ID：200903048928827885
トレンチ構造を有する半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-186603
公開番号（公開出願番号）：特開平11-031815
出願日： 1997年07月11日
公開日（公表日）： 1999年02月02日
要約：
【要約】【課題】 トレンチMOSゲート構造を有するMOSゲートパワーデバイスなどにおいて、トレンチ内壁に形成するゲート酸化膜の特性を向上させる。【解決手段】 トレンチの内表面から半導体基板の主面に沿った外表面にまで延在するゲート酸化膜を形成するともに、トレンチの内部から突出して半導体基板の主面に沿った外表面にまで延在するゲートを形成する。また、ゲート酸化膜をトレンチの開口部から外表面にかけて厚く形成し、ゲートをトレンチの開口部で絞り込んだ形状にする。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主面に形成されたトレンチと、前記トレンチの内表面から上記半導体基板の主面に沿った外表面にまで延在する絶縁膜と、前記トレンチの内部から上記半導体基板の主面に沿った外表面にまで延在する導電部とを備えたことを特徴とするトレンチ構造を有する半導体装置。
FI (3件)：
H01L 29/78 652 K
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 A
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (3件)
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