特許
J-GLOBAL ID：201403091552123140
配線基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-164899
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239742
特許番号：特許第5568169号
出願日： 2013年08月08日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1スルーホールと前記第1スルーホール内に形成された第1貫通導体部とを備え、ウェハから形成された第1シリコン基板と、
前記第1シリコン基板の上に接着樹脂層を介して積層され、第2スルーホールと、前記第2スルーホール内に前記第1貫通導体部と位置合わせされて形成された第2貫通導体部とを備え、ウェハから形成された第2シリコン基板と、
前記第1シリコン基板の両面と、前記第1スルーホールの内面とに形成された第1絶縁層と、
前記第2シリコン基板の両面と、前記第2スルーホールの内面とに形成された第2絶縁層とを有し、
前記接着樹脂層は、前記第1シリコン基板上の前記第1貫通導体部を除く領域に形成されており、
前記第2貫通導体部は、前記第2スルーホール内で前記第2絶縁層と接触し、かつ前記第2スルーホールの下端部で前記接着樹脂層に接触しており、
前記第1貫通導体部と前記第2貫通導体部とにより貫通電極が一体的に形成されていることを特徴とする配線基板。
IPC (4件)：
H01L 23/12 ( 200 6.01)
, G01R 1/073 ( 200 6.01)
, H05K 1/11 ( 200 6.01)
, H05K 3/40 ( 200 6.01)
H01L 23/12 N
, G01R 1/073 E
, H05K 1/11 N
, H05K 3/40 K
