特許

J-GLOBAL ID：201403091743043902

ナノインプリント用テンプレート、ナノインプリント用テンプレートを用いたパターン形成方法、およびナノインプリント用テンプレートの製造方法

発明者： 平加 貴昭 ,  坂本 武士 ,  人見 陽一 ,  坪井 理廣
出願人/特許権者： 大日本印刷株式会社
代理人 (6件)： 藤枡 裕実 ,  深町 圭子 ,  伊藤 英生 ,  後藤 直樹 ,  伊藤 裕介 ,  立石 英之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-069906
公開番号（公開出願番号）：特開2014-194960
出願日： 2013年03月28日
公開日（公表日）： 2014年10月09日
要約：

【課題】本発明の目的は、側壁転写プロセスの際に生じるループの切断を安定的に行えるループ切断構造を有したテンプレート、テンプレートを利用したパターン形成方法およびテンプレートの製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明のナノインプリント用テンプレートは、基板主面に、凹凸形状の転写パターンを備え、前記凹凸形状は、第一の側壁が傾斜形状を有し、第二の側壁が垂直形状を有していることにより、上記課題を解決する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

ナノインプリント用テンプレートであって、基板主面に、凹凸形状の転写パターンを備え、前記凹凸形状は、第一の側壁が傾斜形状を有し、第二の側壁が垂直形状を有していることを特徴とするナノインプリント用テンプレート。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  B29C 59/02

FI (2件)：

H01L21/30 502D ,  B29C59/02 B

Fターム (12件)：

4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AJ08 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PC05 ,  4F209PN06 ,  4F209PN09 ,  4F209PQ11 ,  5F146AA32

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 微細パターン形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-333626   出願人：キヤノン株式会社
• マスクパターンの生成方法、マスクパターン生成プログラム及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-287716   出願人：株式会社東芝
• パターン形成方法および電子デバイスの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-104239   出願人：キヤノン株式会社
• 電子装置の製造方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-322463   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-152016   出願人：株式会社東芝