特許
J-GLOBAL ID：200903014708892161

電子装置の製造方法および半導体装置の製造方法

発明者：
石川 健治

石川 健治 について

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志渡 秀治

志渡 秀治 について

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永田 武雄

永田 武雄 について

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倉橋 輝雄

倉橋 輝雄 について

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三島 康由

三島 康由 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-322463
公開番号（公開出願番号）：特開2008-140793
出願日： 2006年11月29日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：
【課題】露光装置の解像限界を超えた微細なパターンを有するDRAMやFeRAMおよびクロスバー素子等の電子装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板10上にダミー11膜を基板10上の素子領域10Aおよびその外側の外部領域10Bを覆うように形成してパターニングし、ダミーパターン11を素子領域10Aにおいては第1の高さH1に、外部領域10Bにおいては第1の高さH1よりも小さい第2の高さH2を有するように形成し、基板10上に別の膜12をダミーパターン11A,Bを覆うように形成し、膜12を異方性エッチングして素子領域中のダミーパターン11Aの側壁面に沿って第1および第2のパターン12A、Bを形成し、かつ、外部領域10Bにおいては膜12消失させ、素子領域10Aにおいて、第1および第2のパターン12A,Bを使って電子装置を形成する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
基板上への電子装置の製造方法であって、 基板上にダミー膜を、前記ダミー膜が前記基板上の素子領域およびその外側の外部領域を覆うように形成する工程と、 前記ダミー膜をパターニングしてダミーパターンを、前記ダミーパターンが、前記素子領域においては、第1の高さを、前記外部領域においては前記第1の高さよりも小さい第2の高さを有するように、形成する工程と、 前記基板上に別の膜を、前記別の膜が前記素子領域および前記外部領域において前記ダミーパターンを、前記ダミーパターンの断面形状に整合して覆うように形成する工程と、 前記別の膜に対して、前記基板に対して略垂直方向に作用する異方性エッチングを、前記素子領域および外部領域において前記基板の表面が露出するように実行し、前記素子領域中、前記ダミーパターンの第1の側壁面および前記第1の側壁面に対向する第2の側壁面に沿って、第1および第2のパターンを、前記外部領域においては消失するように形成する工程と、 前記素子領域において、前記第1および第2のパターンを使って電子装置を形成する工程と、を含み、 前記異方性エッチングは、前記外部領域において前記別の膜が残留しないように実行されることを特徴とする電子装置の製造方法。
IPC (10件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/320 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 ,  H01L 21/306
FI (9件)：
H01L27/10 621A ,  H01L21/88 B ,  H01L27/10 444B ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/78 301R ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 331A ,  H01L21/302 105A
Fターム (93件)：
5F004AA16 ,  5F004EA03 ,  5F004EA12 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH25 ,  5F033HH26 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH29 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK25 ,  5F033KK26 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033KK29 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ16 ,  5F033VV16 ,  5F033XX03 ,  5F048AB01 ,  5F048AC01 ,  5F048AC10 ,  5F048BA01 ,  5F048BB05 ,  5F048BC06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA26 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD23 ,  5F083AD48 ,  5F083AD49 ,  5F083FR02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA27 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083PR09 ,  5F083ZA28 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG08 ,  5F140BG39 ,  5F140BH15 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140CB04 ,  5F140CE20
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 米国特許第6128214号
  • 米国特許第6256767号
  • 米国特許第6314019号
審査官引用 (3件)

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