半導体装置、及び半導体装置の製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工藤実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-082747
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075570
出願日： 2013年04月11日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：

【課題】オンオフ比を向上させること。【解決手段】半導体装置は、p型金属酸化物半導体層と、前記p型金属酸化物半導体層に接続されたソース電極と、前記p型金属酸化物半導体層に接続されたドレイン電極と、前記p型金属酸化物半導体層の一部に対向するように配置された、ゲート電極とを有する。前記ゲート電極と前記ドレイン電極とは、上方から見た場合に離れている。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

p型金属酸化物半導体層と、前記p型金属酸化物半導体層に接続されたソース電極と、前記p型金属酸化物半導体層に接続されたドレイン電極と、前記p型金属酸化物半導体層の一部に対向するように配置された、ゲート電極と、を具備し、前記ゲート電極と前記ドレイン電極とは、上方から見た場合に離れている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 27/08

FI (12件)：

H01L29/78 617A , H01L29/78 618B , H01L29/78 617M , H01L29/78 618Z , H01L29/78 618A , H01L29/78 627F , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 617N , H01L21/28 301B , H01L29/50 M , H01L27/08 331E

Fターム (65件)：

4M104AA03 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD22 , 4M104DD28 , 4M104EE05 , 4M104FF01 , 4M104FF06 , 4M104FF07 , 4M104FF16 , 4M104FF21 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AC01 , 5F048AC04 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB03 , 5F048BC01 , 5F048BD10 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F110AA05 , 5F110AA08 , 5F110BB04 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE25 , 5F110EE28 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG43 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK03 , 5F110HK21 , 5F110HL04 , 5F110HM12 , 5F110HM14 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN14 , 5F110NN78 , 5F110PP10

引用特許：

出願人引用 (6件)

薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-021320 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-011690 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体素子の形成方法および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-053712 出願人：キヤノン株式会社

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審査官引用 (6件)

薄膜トランジスタ、表示装置および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-021320 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2012-011690 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体素子の形成方法および半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-053712 出願人：キヤノン株式会社

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