特許
J-GLOBAL ID:201403094195672822
ソリッド・ステート・メモリ・デバイスにおける復号
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
上野 剛史
, 太佐 種一
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-530833
公開番号(公開出願番号):特表2013-546039
出願日: 2011年09月22日
公開日(公表日): 2013年12月26日
要約:
【課題】 ソリッド・ステート・メモリ・デバイスを制御するための方法を提供する。【解決手段】 ソリッド・ステート・メモリ・デバイスにおいて、メモリ・デバイス(1)のユニットに格納された符号語が、誤り訂正反復復号プロセスによって復号される。特に平均反復回数(n_k)を対象となるユニットの損耗の尺度として用いることができるという理由で、ユニットの符号語の復号に成功するために必要な平均反復回数(n_k)が算定され、平均反復回数(n_k)は監視される。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
ソリッド・ステート・メモリ・デバイスを制御するための方法であって、
前記メモリ・デバイス(1)のユニットに格納された符号語を誤り訂正反復復号プロセスによって復号するステップと、
前記ユニットの符号語の復号に成功するために必要な平均反復回数(n_k)を算定するステップと、
前記平均反復回数(n_k)を監視するステップと、
を含む方法。
IPC (2件):
FI (2件):
G06F12/16 320G
, H03M13/45
Fターム (11件):
5B018GA02
, 5B018HA14
, 5B018HA23
, 5B018MA22
, 5B018NA06
, 5B018QA16
, 5B018RA02
, 5J065AG05
, 5J065AG08
, 5J065AH13
, 5J065AH21
引用特許: