両親媒性非イオン性界面活性剤を利用したCMP法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：青木篤 , 石田敬 , 古賀哲次 , 永坂友康 , 小林良博 , 出野知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-191654
公開番号（公開出願番号）：特開2013-258430
出願日： 2013年09月17日
公開日（公表日）： 2013年12月26日
要約：

【課題】基材を研磨する方法を提供する。【解決手段】(i)銅を含む少なくとも1つの金属層を含む基材を化学機械研磨(CMP)系と接触させる工程と、(ii)該銅を含む金属層の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程とを含む、基材を研磨する方法が提供される。このCMP系は、(a)研磨剤、(b)両親媒性非イオン性界面活性剤、(c)金属層を酸化するための手段、(d)有機酸、(e)腐食抑制剤、及び(f)液体キャリヤーを含む。さらに、第1の金属層と第2の異なる金属層を含む基材を研磨する2工程の方法が提供される。第1金属層は、研磨剤と液体キャリヤーを含む第1CMP系で研磨され、第2金属層は、(a)研磨剤、(b)両親媒性非イオン性界面活性剤、及び(c)液体キャリヤーを含む第2CMP系で研磨される。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

基材を研磨する方法であって、 (i)銅を含む少なくとも1つの金属層を含む基材を、 (a)100nm以上の平均一次粒子サイズを有する研磨剤、 (b)頭部基と末端基を含み、6を超えるHLB値を有する両親媒性非イオン性界面活性剤、 (c)銅を含む金属層を酸化するための手段、 (d)有機酸、 (e)腐食抑制剤、及び (f)液体キャリヤーを含む化学機械研磨系と接触させる工程と、 (ii)該銅を含む金属層の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程とを含む、基材を研磨する方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 , B24B 37/00 , C09K 3/14 , C09G 1/02

FI (7件)：

H01L21/304 622D , H01L21/304 622X , B24B37/00 H , C09K3/14 550C , C09K3/14 550Z , C09K3/14 550D , C09G1/02

Fターム (27件)：

3C058AA07 , 3C058CA05 , 3C058CB02 , 3C058CB10 , 3C058DA02 , 3C058DA12 , 3C058DA17 , 5F057AA09 , 5F057AA28 , 5F057BA21 , 5F057BB23 , 5F057BB25 , 5F057BB32 , 5F057BB33 , 5F057CA12 , 5F057DA03 , 5F057DA09 , 5F057EA01 , 5F057EA07 , 5F057EA08 , 5F057EA11 , 5F057EA21 , 5F057EA22 , 5F057EA25 , 5F057EA27 , 5F057EA29 , 5F057EA31

引用特許：

出願人引用 (8件)

銅/タンタル基体に有用な化学的機械研磨スラリー
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-557316 出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション
特開平4-291722
特開平4-291724

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審査官引用 (8件)

銅/タンタル基体に有用な化学的機械研磨スラリー
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-557316 出願人：キャボットマイクロエレクトロニクスコーポレイション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-348300 出願人：株式会社トクヤマ
化学機械研磨用水系分散体
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-055349 出願人：ジェイエスアール株式会社

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