特許
J-GLOBAL ID：201403096626994388
不揮発性記憶素子の駆動方法及び不揮発性記憶装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
内藤 浩樹
, 永野 大介
, 藤井 兼太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-169138
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029744
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】情報の保存性を向上することができる抵抗変化型の不揮発性記憶素子の駆動方法を提供する。【解決手段】抵抗変化型の不揮発性記憶素子の駆動方法であって、不揮発性記憶素子を流れる電流の値が第1のベリファイレベルIRL(Verify)以上であるか判定するステップと、不揮発性記憶素子を流れる電流の値が第2のベリファイレベルIRH(Verify)以下であるか判定するステップと、電流リファレンスレベルIrefを、(IRL(Verify)+IRH(Verify))/2<Iref<IRL(Verify)を満たす値に定め、不揮発性記憶素子を流れる電流が電流リファレンスレベルIrefよりも小さい場合に不揮発性記憶素子が第2の抵抗状態にあると判別し、リファレンスレベルIrefよりも大きい場合に不揮発性記憶素子が第1の抵抗状態にあると判別するステップとを含む。【選択図】図20
請求項（抜粋）：
抵抗変化型の不揮発性記憶素子の駆動方法であって、
前記不揮発性記憶素子は、
第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極間に介在する抵抗変化層とを備え、
前記駆動方法は、
前記第1の電極及び前記第2の電極間に、前記第1の電極及び前記第2の電極間の抵抗状態を第1の抵抗状態とするための、第1の極性を有する第1の電圧を印加するステップと、
前記第1の電圧を印加するステップの後で、前記第1の電極及び前記第2の電極間に第1の判定用電圧を印加した際に前記不揮発性記憶素子を流れる電流の値が、第1のベリファイレベルIRL(Verify)以上であるか判定するステップと、
前記第1の電極及び前記第2の電極間に、前記第1の電極及び前記第2の電極間の抵抗状態を第2の抵抗状態とするための、前記第1の極性とは異なる第2の極性を有する第2の電圧を印加するステップと、
前記第2の電圧を印加するステップの後で、前記第1の電極及び前記第2の電極間に第2の判定用電圧を印加した際に前記不揮発性記憶素子を流れる電流の値が、第2のベリファイレベルIRH(Verify)以下であるか判定するステップと、
前記第1の電極及び前記第2の電極間に検出用電圧を印加した際に前記不揮発性記憶素子を流れる電流の値を検出するステップと、
電流リファレンスレベルIrefを、(IRL(Verify)+IRH(Verify))/2<Iref<IRL(Verify)を満たす値に定め、前記検出するステップで検出された電流が前記電流リファレンスレベルIrefよりも小さい場合に、前記不揮発性記憶素子が第2の抵抗状態にあると判別し、前記検出するステップで検出された電流が前記電流リファレンスレベルIrefよりも大きい場合に、前記不揮発性記憶素子が第1の抵抗状態にあると判別するステップとを含む
不揮発性記憶素子の駆動方法。
IPC (4件)：
G11C 13/00
, H01L 27/105
, H01L 45/00
, H01L 49/00
G11C13/00 140
, H01L27/10 448
, H01L45/00 Z
, H01L49/00 Z
, G11C13/00 110R
5F083FZ10
, 5F083GA11
, 5F083JA38
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA60
, 5F083LA04
, 5F083LA05
, 5F083LA06
, 5F083LA10
, 5F083PR22
