抵抗変化メモリ装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (2件)：伊丹勝 , 田村和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-269973
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099206
出願日： 2007年10月17日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【課題】多値データ記憶でのデータ保持特性改善を図った抵抗変化メモリ装置を提供する。【解決手段】書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶するメモリセルが配列され、メモリセルは高抵抗側が安定状態であって、少なくとも3つの抵抗値R0,R1及びR2(但し、R0<R1<R2)が選択的に設定される多値データ記憶を行う抵抗変化メモリ装置において、抵抗値R0とR1の間及びR1とR2の間の抵抗値ギャップをそれぞれ、ΔR1及びΔR2として、ΔR1>ΔR2に設定される。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

書き換え可能な抵抗値をデータとして不揮発に記憶するメモリセルが配列され、メモリセルは高抵抗側が安定状態であって、少なくとも3つの抵抗値R0,R1及びR2(但し、R0<R1<R2)が選択的に設定される多値データ記憶を行う抵抗変化メモリ装置において、抵抗値R0とR1の間及びR1とR2の間の抵抗値ギャップをそれぞれ、ΔR1及びΔR2として、ΔR1>ΔR2に設定されることを特徴とする抵抗変化メモリ装置。

IPC (5件)：

G11C 13/00 , H01L 27/10 , H01L 27/105 , H01L 45/00 , H01L 49/00

FI (5件)：

G11C13/00 A , H01L27/10 451 , H01L27/10 448 , H01L45/00 Z , H01L49/00 Z

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083GA10 , 5F083GA11 , 5F083JA60 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA07 , 5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (1件)

相変化メモリ装置
公報種別：公表公報出願番号：特願2004-569564 出願人：株式会社東芝

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置及びメモリセルの記憶データ補正方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-353731 出願人：シャープ株式会社
不揮発性メモリ装置及びそのプログラム方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-013627 出願人：三星電子株式会社
不揮発性半導体記憶装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-295136 出願人：株式会社東芝

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