特許
J-GLOBAL ID：201203081351115271

相変化メモリの読み出し分布管理

発明者：
フェルディナンド ベデスキ

フェルディナンド ベデスキ について

, 
ロベルト ガスタルディ

ロベルト ガスタルディ について


出願人/特許権者：
マイクロン テクノロジー, インク.

マイクロン テクノロジー, インク. について


代理人 (2件)： 野村 泰久 ,  大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-203372
公開番号（公開出願番号）：特開2012-094234
出願日： 2011年09月16日
公開日（公表日）： 2012年05月17日
要約：
【課題】読み出し/書き込み性能を向上した相変化メモリを提供する。【解決手段】シングルレベルセル(SLC)又はマルチレベル(MLC)相変化メモリ(PCM)デバイスの読み出し分布を管理することを伴う処理及び/又は電子アーキテクチャを含む。PCMセルの読み出し分布を管理することは、時間にわたって生じ得るPCMセルの状態分布におけるシフトに応じて読み出しエラーを避けるように用いられる。メモリセルの状態分布は、メモリセルによって記憶された多数の状態又は論理レベルに対応する1つ又は複数の閾値電圧に対応する。このような状態又は論理レベルは、閾値電圧によって分けられた電圧範囲に対応する。メモリセルを読み出す方法は、特定の電流における変化を補償することを含む。このような変化は、PCM材料の抵抗ドリフト、温度変化、保持等の様々な物理的現象における変化の結果である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
メモリセル電流を生み出すために相変化メモリ(PCM)にバイアスパルスを与えることと、 前記メモリセル電流と、1つ又は複数の特定の既知の基準状態から生じる基準セル電流との少なくとも一部は基づいて前記PCMセルの状態を決定することと、 を含むことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
G11C 13/00 ,  G11C 29/42 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/10 ,  H01L 45/00
FI (7件)：
G11C13/00 140 ,  G11C13/00 110P ,  G11C13/00 150 ,  G11C29/00 631D ,  H01L27/10 448 ,  H01L27/10 481 ,  H01L45/00 A
Fターム (8件)：
5F083FZ10 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60 ,  5F083ZA10 ,  5F083ZA21 ,  5L106AA00 ,  5L106BB11 ,  5L106FF05
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (1件)
  • 温度補償RRAM回路
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-066445   出願人：シャープ株式会社

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