特許
J-GLOBAL ID：201403097852478968
ハイドロゲルアレイ基板及び前記基板の製造方法、並びに脂質二分子膜アレイ基板及び前記基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 志賀国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-050364
公開番号（公開出願番号）：特開2014-178121
出願日： 2013年03月13日
公開日（公表日）： 2014年09月25日
要約：
【課題】金属陽イオンを用いずにベシクルを展開し、ハイドロゲルが充填された穴部上に脂質二分子膜を配置することが可能なハイドロゲルアレイ基板及びその製造方法、並びに、前記穴部上に脂質二分子膜が配置された脂質二分子膜アレイ基板及びその製造方法の提供。【解決手段】[1]基板10と、前記基板の表面に配列された複数の穴部20と、前記穴部に充填された電荷を有するハイドロゲル21と、が少なくとも備えられているハイドロゲルアレイ基板。[2]正電荷を有するハイドロゲルが充填された前記穴部と、負電荷を有するハイドロゲルが充填された前記穴部と、がそれぞれ同一基板上に配列されている前記ハイドロゲルアレイ基板。[3]前記穴部に充填されている前記ハイドロゲルの電荷とは反対の電荷を有する脂質二分子膜30が、前記穴部の開口部25を覆うように配置されている脂質二分子膜アレイ基板4。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板の表面に配列された複数の穴部と、
前記穴部に充填された電荷を有するハイドロゲルと、
が少なくとも備えられていることを特徴とするハイドロゲルアレイ基板。
IPC (5件)：
G01N 33/548
, G01N 33/544
, G01N 33/543
, G01N 37/00
, C12M 1/00
G01N33/548 Z
, G01N33/544 Z
, G01N33/543 525U
, G01N33/543 525W
, G01N37/00 102
, C12M1/00 A
4B029AA21
, 4B029AA27
, 4B029BB15
, 4B029CC02
, 4B029CC03
