特許
J-GLOBAL ID:201403099591870833
基板処理装置、及び半導体装置の製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
ポレール特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-047039
公開番号(公開出願番号):特開2014-175483
出願日: 2013年03月08日
公開日(公表日): 2014年09月22日
要約:
【課題】処理ガスが他の処理領域に移動することを抑制する。【解決手段】基板を処理するための処理室であって、分割構造体により、処理ガス導入領域と不活性ガス導入領域とに分割される処理室と、処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板を同心円状に載置する載置面を有する基板載置台と、基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転駆動部と、処理ガス導入領域に処理ガスを導入し、不活性ガス導入領域に不活性ガスを導入するガス導入部と、前記載置面と対向する第1の面に第1の排気孔を有し、処理ガス導入領域において基板載置台の径方向に延びるように設けられた第1の排気配管と、前記第1の面と対向する第2の面に第2の排気孔を有し、処理ガス導入領域において基板載置台の外周部に設けられた第2の排気配管と、を有するように基板処理装置を構成する。【選択図】図5
請求項(抜粋):
基板を処理するための処理室であって、分割構造体により、処理ガスが導入される処理ガス導入領域と不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域とに分割される処理室と、
前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板を同心円状に載置する載置面を有する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転駆動部と、
前記処理ガス導入領域に処理ガスを導入し、前記不活性ガス導入領域に不活性ガスを導入するガス導入部と、
前記載置面と対向する第1の面に第1の排気孔を有し、前記処理ガス導入領域において前記基板載置台の径方向に延びるように設けられた第1の排気配管と、
前記第1の面と対向する第2の面に第2の排気孔を有し、前記処理ガス導入領域において前記基板載置台の外周部に設けられた第2の排気配管と、
を有する基板処理装置。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (28件):
4K030AA06
, 4K030AA14
, 4K030BA44
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030HA01
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F045AA04
, 5F045AA15
, 5F045AB31
, 5F045AB32
, 5F045AC07
, 5F045AC11
, 5F045AC12
, 5F045DP14
, 5F045DP27
, 5F045EE14
, 5F045EE19
, 5F045EE20
, 5F045EF14
, 5F045EF20
, 5F045EK07
引用特許:
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