特許
J-GLOBAL ID:201303001190992211
赤外線検出器及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
加藤 朝道
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-128837
公開番号(公開出願番号):特開2012-255714
出願日: 2011年06月09日
公開日(公表日): 2012年12月27日
要約:
【課題】量子ドットの厚さや大きさを変えるためにエッチング加工を使用すると、量子ドットを利用した赤外線検出器の感度が悪化する。そのため、検出波長帯域を維持しつつ、検出感度を向上させる赤外線検出器が、望まれる。【解決手段】赤外線検出器は、半導体基板と、前記半導体基板に、複数の量子ドット層及び障壁層を交互に積層することで形成する光吸収層と、を備えている。さらに、複数の障壁層のうち、第1の障壁層は、量子ドット層と接触する第1の面に第1の凸形状を備え、複数の障壁層のうち、第1の面と相対する位置に存在する第2の障壁層は、第1の面に相当する第2の面に第2の凸形状を備え、第1及び第2の凸形状がそれぞれ異なることに対応して、量子ドット層に形成される量子ドットの形状が異なっている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体基板と、
前記半導体基板に、複数の量子ドット層及び障壁層を交互に積層することで形成する光吸収層と、を備え、
前記複数の障壁層のうち、第1の障壁層は、前記量子ドット層と接触する第1の面に第1の凸形状を備え、前記複数の障壁層のうち、前記第1の面と相対する位置に存在する第2の障壁層は、前記第1の面に相当する第2の面に第2の凸形状を備え、
前記第1及び第2の凸形状がそれぞれ異なることに対応して、前記量子ドット層に形成される量子ドットの形状が異なることを特徴とする赤外線検出器。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (3件):
2G065AA04
, 2G065AB02
, 2G065BA02
引用特許: