特許
J-GLOBAL ID：201203036005192060
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
野河 信太郎
, 秋山 雅則
, 甲斐 伸二
, 金子 裕輔
, 稲本 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-236723
公開番号（公開出願番号）：特開2012-089756
出願日： 2010年10月21日
公開日（公表日）： 2012年05月10日
要約：
【課題】超格子構造中にミニバンドが形成され、p型およびn型半導体領域へ効率よくキャリアを取り出すことができる太陽電池を提供する。【解決手段】p型半導体層1と、n型半導体層12と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれた超格子半導体層10とを備え、前記超格子半導体層10は、障壁層と量子ドットからなる量子ドット層とが交互に繰り返し積層された超格子構造を有し、前記超格子半導体層は、前記超格子半導体層のp型半導体層側からn型半導体側に近づくに従い前記量子ドットのバンドギャップが徐々に広くなるように積層される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p型半導体層と、n型半導体層と、前記p型半導体層と前記n型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを備え、
前記超格子半導体層は、障壁層と量子ドットからなる量子ドット層とが交互に繰り返し積層された超格子構造を有し、
前記超格子半導体層は、前記超格子半導体層のp型半導体層側からn型半導体側に近づくに従い前記量子ドットのバンドギャップが徐々に広くなるように積層されたことを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
5F151AA08
, 5F151CB12
, 5F151DA13
