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J-GLOBAL ID:201502200048984868   整理番号:15A0532928

フェムト秒内殻準位光電子分光法を使った半絶縁性GaAsに対する光Dember効果の動力学的観測

Dynamical observation of photo-Dember effect on semi-insulating GaAs using femtosecond core-level photoelectron spectroscopy
著者 (8件):
資料名:
巻:号:ページ: 022401.1-022401.4  発行年: 2015年02月 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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フェムト秒時間分解内殻準位光電子分光法を使って,半絶縁性GaAs表面上における超高速の光発生キャリア動力学を調べた。100fsレーザ照射の2ps内に高結合エネルギー型に向かって瞬間的にGa-3d内殻準位ピークが~350meVシフトした,表面電位の過渡的変化を観測した。実験結果を,半絶縁性半導体のドリフト-拡散モデルに基づく数値シミュレーションと比較して,この過渡表面電位変化は主に光Dember効果が原因となって生じ,この効果により,電子と正孔の間でキャリア拡散の大きな違いから瞬間的に表面光起電力が誘起されることを明らかにした。(翻訳著者抄録)
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分類 (1件):
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光伝導,光起電力 

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