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J-GLOBAL ID：201502200394833257   整理番号：15A1230464

環境セル透過型電子顕微鏡用の非晶質炭窒化ケイ素隔膜を作成する磁場・パルスプラズマ増強化学蒸着法の開発

Development of magnetic-field and pulsed-plasma-enhanced chemical vapor deposition method to fabricate amorphous silicon carbonitride diaphragm for environmental-cell transmission electron microscope

著者 (4件)： YAMASAKI Kayo (Kinki Univ., 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-8502, JPN) ,  MATSUTANI Takaomi (Kinki Univ., 3-4-1 Kowakae, Higashi-osaka, Osaka 577-8502, JPN) ,  IMAEDA Norihiro (Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN) ,  KAWASAKI Tadahiro (Nagoya Univ., Furo-cho, Chikusa-ku, Nagoya 464-8603, JPN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 122  号： PB  ページ： 332-336  発行年： 2015年12月 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 隔膜隔膜環境セル透過型電子顕微鏡(E-TEM)用の非晶質炭窒化ケイ素(a-SiCN)隔膜を作成するため,磁場・パルスプラズマ増強化学蒸着(MPECVD)を開発した。膜は気体ヘキサメチルジシラザン(HMDSN),N₂,及びArを使い,300Vと600Vの間で変えたパルス電圧で調製した。従来型のPECVDに比べて,磁場を高くすると,蒸着速度は高くなった。隔膜はSi(100)と100μm直径の穴が開いたCuグリッドへ適用した。Fourier変換赤外スペクトルとX線光電子スペクトルから,パルス電圧とN₂流量を高くし,雰囲気圧力を下げると,隔膜中で有機化合物が消失し,Si-N,C-N結合の形成が促進されることが明らかになった。高パルス電圧で隔膜を蒸着したとき,Eセル中の電子ビームと反応ガスへの耐性は改善された。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ケイ素化合物 ,  炭化物 ,  窒化物 ,  非晶質 ,  *プラズマCVD ,  *試料セル ,  *透過型電子顕微鏡 ,  窒素 ,  アルゴン ,  隔膜 ,  X線光電子スペクトル ,  赤外吸収スペクトル ,  磁場効果
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,  環境セル ,  炭窒化ケイ素

分類 (3件)： 生体の顕微鏡観察法  (EA03050C) ,  試料技術  (BA02070O) ,  顕微鏡法  (BK01040E)

物質索引 (1件)： ヘキサメチルジシラザン

タイトルに関連する用語 (10件)： 環境 ,  セル ,  透過型電子顕微鏡 ,  非晶質 ,  炭窒化ケイ素 ,  隔膜 ,  磁場 ,  パルス ,  プラズマ増強化学蒸着 ,  開発