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J-GLOBAL ID：201502200716841594   整理番号：15A0700967

1^°のオフ角を持つ4H-SiCのC面上におけるホモエピタキシャル成長と積層欠陥の研究

Homoepitaxial growth and investigation of stacking faults of 4H-SiC C-face epitaxial layers with a 1° off-angle

著者 (16件)： MASUMOTO Keiko (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Ibaraki, JPN) ,  MASUMOTO Keiko (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  ASAMIZU Hirokuni (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Ibaraki, JPN) ,  ASAMIZU Hirokuni (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  TAMURA Kentaro (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Ibaraki, JPN) ,  TAMURA Kentaro (ROHM Co., Ltd., Kyoto, JPN) ,  KUDOU Chiaki (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Ibaraki, JPN) ,  KUDOU Chiaki (Panasonic Corp., Toyama, JPN) ,  NISHIO Johji (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Ibaraki, JPN) ,  NISHIO Johji (Toshiba Corp., Kawasaki, JPN) ,  KOJIMA Kazutoshi (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Ibaraki, JPN) ,  KOJIMA Kazutoshi (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN) ,  OHNO Toshiyuki (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Ibaraki, JPN) ,  OHNO Toshiyuki (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OKUMURA Hajime (R&D Partnership for Future Power Electronics Technol., Ibaraki, JPN) ,  OKUMURA Hajime (National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol., Ibaraki, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DP04.1-04DP04.5  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本稿では,オフ角が1^°の4H-SiCのC面基板上にエピタキシャル層を成長させ,形成される積層欠陥(SF)の原因を研究することによってSF密度の減少に関係する重要な要因について議論した。3種類のSF,即ち3C包有物,8H-SFおよび(3,5)-SFが生じる。3C包有物は3C-SiC粒子に起因する。これらの粒子はエピタキシャル成長前に基板上に存在するか,エピタキシャル成長の過程において,化学気相蒸着炉の内壁から基板上に落ちたものである。H₂によるその場エッチングの深さが0.4μmを越えると,エピタキシャル成長前に基板上に存在した3C-SiC粒子は除去されるので,3C包有物の密度は低下することが分かった。8H-SFおよび(3,5)-SFに関しては,転位自体よりも基板上における転位密度の高い領域が,これらのSFの起源となる。これらのSF密度を低減するには,基板上における高転位密度領域の発生を抑制することが重要である。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *ホモエピタクシー ,  化合物半導体 ,  *積層欠陥 ,  *因子分析 ,  固体包有物 ,  *化学蒸着 ,  *転位密度
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  因子解析

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (30件)：

• T. Kimoto and H. Matsunami, J. Appl. Phys. 75, 850 (1994).
• T. Kimoto, A. Itoh, and H. Matsunami, Phys. Status Solidi B 202, 247 (1997).
• G. Feng, J. Suda, and T. Kimoto, Physica B 404, 4745 (2009).
• N. Bernstein, H. J. Gotsis, D. A. Papaconstantopoulos, and M. J. Mehl, Phys. Rev. B 71, 075203 (2005).
• S. Harada, S. Ito, M. Kato, A. Takatsuka, K. Kojima, K. Fukuda, and H. Okumura, Mater. Sci. Forum 645-648, 999 (2010).

タイトルに関連する用語 (6件)： オフ角 ,  4H-SiC ,  ホモ ,  エピタキシャル成長 ,  積層欠陥 ,  研究