文献
J-GLOBAL ID:201502200895246300   整理番号:15A0558090

微小重力下での合金半導体結晶成長プロジェクトの現状

Current Status of Alloy Semiconductor Crystal Growth Project under Microgravity
著者 (12件):
資料名:
巻: 10  号: ists28  ページ: TH.1-TH.4 (J-STAGE)  発行年: 2012年 
JST資料番号: U0121A  ISSN: 1884-0485  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
「アロイ半導体」結晶成長プロジェクトの目的は,1)液体中の溶質移動,および2)微小重力および地上での成長力学の表面方位依存性を調査することによって高品質のバルク合金半導体の結晶成長に関する明確な要素を作り出すことである。「きぼう」搭載の温度勾配炉勾配加熱炉(GHF)をInxGa1-xSbバルク結晶の成長に使用した。このバルク結晶は,バンドギャップと結晶の格子定数を組成の調整によってできるので,熱光起電力セルやガスセンサーなどの光電子デバイスの潜在的な基板材料である。宇宙実験プロジェクトの現状態を,プレゼンテーションで報告した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体の結晶成長  ,  宇宙飛行体 

前のページに戻る