新しい直接リードボンディングパワーモジュールの予備的故障モード特性評価:標準ワイヤボンディング相互接続との比較

SANFINS W.; SANFINS W.; SANFINS W.; RISALETTO D.; RISALETTO D.; RICHARDEAU F.; RICHARDEAU F.; BLONDEL G.; CHEMIN M.; BAUDESSON P.

文献

J-GLOBAL ID：201502202253188288 整理番号：15A1171457

新しい直接リードボンディングパワーモジュールの予備的故障モード特性評価:標準ワイヤボンディング相互接続との比較

Preliminary failure-mode characterization of emerging direct-lead-bonding power module. Comparison with standard wire-bonding interconnection

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資料名：
巻： 55 号： 9-10 ページ： 1956-1960 発行年： 2015年08月
JST資料番号： C0530A ISSN： 0026-2714 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

I²Tと臨界エネルギーに関して,2チップパワーモジュール(PM)の機能特性,故障モードと故障後の高電流能力の観点で,エポキシモールドパッケージ中の直接リードボンディング(DLB)とワイヤボンディングを比較する。ワイヤボンディングパワーモジュールは,ゲルを充填したパワーモジュールで用いる場合,劣った熱挙動,不安定なR_CE(チップ故障残留抵抗),そして,時々ヒューズ効果を示した。しかし,DLBのパワーモジュールは,高エネルギー故障下で,非常に良好な熱的及び電気的挙動及び非常に低くて安定したR_CEを実証した。RXトモグラフィーと結合したロックインサーモグラフィのお蔭による非破壊欠陥位置決め後は,ワイヤボンディング下とDLBにおけるチップとはんだを介した金属架橋の形成を確認することができた。このことは,この技術の低R_CE値を説明する。DLBの相互接続は,電源モジュールの有望な技術であると思われる。しかし,古典的なワイヤボンディングと比べて,極端な故障が発生した場合にワイヤヒューズ効果がないことは,重要なコンバータのフェイルセーフとフォールトトレラントな戦略を再考する必要がある。Copyright 2015 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

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固体デバイス計測・試験・信頼性 , 固体デバイス製造技術一般

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