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J-GLOBAL ID：201502202925140777   整理番号：15A1061837

GaAs:Nδドープ超格子における中間バンド配位の制御

Control of intermediate-band configuration in GaAs:N δ-doped superlattice

著者 (8件)： OSADA Kazuki (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  SUZUKI Tomoya (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  YAGI Shuhei (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  NAITOH Shunya (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHOJI Yasushi (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  HIJIKATA Yasuto (Saitama Univ., Saitama, JPN) ,  OKADA Yoshitaka (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  YAGUCHI Hiroyuki (Saitama Univ., Saitama, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 8S1  ページ： 08KA04.1-08KA04.3  発行年： 2015年08月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 中間バンド太陽電池の光吸収物質用に可能性のある候補として,非ドープおよびN(窒素)δドープGaAsの交代層で構成するGaAs:N δドープ超格子を,分子線エピタクシー法で作成した。中間バンド太陽電池のエネルギーギャップは,十分高い変換効率を実現するために,最適値に調整する必要がある。この研究では,構造パラメータの変化により,GaAs:N δドープ超格子の中間バンドエネルギー配位を制御できることを実証した。N誘起伝導帯サブバンドE₊とE_-に関係する超格子ミニバンドによる光学遷移を明瞭に観測し,その遷移エネルギーがN面密度と超格子周期長に系統的に依存することを確認した。詳細平衡模型に基づく変換効率計算から,このGaAs:N δドープ超格子の利用により,60%に近い効率をもつ中間バンド太陽電池の実現可能性が示唆された。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  窒素 ,  *δドーピング ,  *人工超格子 ,  *バンド構造 ,  *太陽電池 ,  *物質 ,  MBE成長 ,  最適化 ,  *エネルギー変換効率
準シソーラス用語： 中間バンド ,  *光吸収物質

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (32件)：

• A. Luque and A. Marti, Phys. Rev. Lett. 78, 5014 (1997).
• A. Luque and A. Marti, Prog. Photovoltaics 9, 73 (2001).
• M. A. Green, Prog. Photovoltaics 9, 123 (2001).
• P. Palacios, J. J. Fernández, K. Sánchez, J. C. Conesa, and P. Wahnón, Phys. Rev. B 73, 085206 (2006).
• C. Tablero, Phys. Rev. B 74, 195203 (2006).

タイトルに関連する用語 (4件)： GaAs ,  δドープ ,  超格子 ,  中間バンド