パルスレーザー堆積した室温成長エピタキシャル薄膜における熱処理後のナノ溝配列形成に及ぼす原子ステップ単結晶基板の影響

松田晃史; 笠原正靖; 吉本護

文献

J-GLOBAL ID：201502203894818660 整理番号：15A1033156

パルスレーザー堆積した室温成長エピタキシャル薄膜における熱処理後のナノ溝配列形成に及ぼす原子ステップ単結晶基板の影響

Effect of Atomically-stepped Single Crystal Substrates on Surface Formation of Nanogroove Arrays after Annealing of Epitaxial Thin Films Grown at Room-temperature by Pulsed Laser Deposition

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著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 135 号： 9 ページ： 1096-1097 (J-STAGE) 発行年： 2015年
JST資料番号： S0810A ISSN： 0385-4221 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

パルスレーザー堆積した酸化ニッケル(NiO)の室温成長エピタキシャル薄膜における熱処理後のナノ溝配列形成に及ぼす原子ステップ単結晶基板の影響について報告した。電子材料の研究開発分野では,原子レベルの表面・界面構造,結晶成長,ナノ形状制御が重要になっている。著者らは,酸化物や窒化物などの単結晶薄膜の室温合成を達成し,それを利用した表面構造制御などをおこなってきた。本稿では,サファイアおよびイットリア安定化ジルコニア単結晶基板上に室温成長したNiO(111)エピタキシャル薄膜表面の高温熱処理後におけるナノ溝配列の自己組織的形成について検討した。そして,種々の単結晶基板表面の直線的な原子ステップ配列や原子テラス最表面の構造対称性が,NiOナノ溝配列の形成に大きな影響を及ぼすことを見いだしたので報告した。

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固体デバイス製造技術一般

引用文献 (4件)：

(1) M. Yoshimoto, R. Yamauchi, D. Shiojiri, G. Tan, S. Kaneko, and A. Matsuda : “Room-temperature synthesis of epitaxial oxide thin films for development of unequilibrium structure and novel electronic functionalization”, J. Ceram. Soc. Jpn., Vol. 121, No. 1, pp. 1-9 (2013)
(2) S. Akiba, A. Matsuda, H. Isa, M. Kasahara, S. Sato, T. Watanabe, W. Hara, and M. Yoshimoto : “Formation of a nanogroove-striped NiO surface using atomic steps”, Nanotech., Vol. 17, No. 16, pp. 4053-4056 (2006)
(3) Y. Akita, Y. Miyake, H. Nakai, H. Oi, M. Mita, S. Kaneko, M. Mitsuhashi, and M. Yoshimoto : “Evolution of Atomically Stepped Surface of Indium Tin Oxide Thin Films Grown on Nanoimprinted Glass Substrates”, Appl. Phys. Express, Vol. 4, No. 3, pp. 035201-1-035201-3 (2011)
(4) R. Yamauchi, G. Tan, D. Shiojiri, K. Koyama, S. Kaneko, A. Matsuda, and M. Yoshimoto : “Influence of Rapid Thermal Annealing and Substrate Terrace Width on Self-Organizing Formation of Periodic Straight Nanogroove Array on NiO(111) Epitaxial Thin Film”, Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 51, No. 6S, pp. 06FF16-1-06FF16-2 (2012)

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