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J-GLOBAL ID：201502203915463957   整理番号：15A1045258

スピン面発光レーザの開発へ向けた(110)GaAs/AlGaAs量子井戸の高速MBE成長

著者 (5件)： 揖場聡 (産総研 スピントロニクス研究セ) ,  齋藤秀和 (産総研 スピントロニクス研究セ) ,  渡辺健 (筑波大) ,  大野裕三 (筑波大) ,  湯浅新治 (産総研 スピントロニクス研究セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 76th  ページ： ROMBUNNO.14A-2W-11  発行年： 2015年08月31日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *面発光レーザ ,  *ヒ化ガリウム ,  *ヒ化ガリウムアルミニウム ,  量子井戸 ,  MBE成長 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  量子井戸レーザ

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (7件)： スピン ,  面発光レーザ ,  開発 ,  GaAs ,  AlGaAs ,  量子井戸 ,  MBE成長