CHIU Hsien-Chin について
Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN について
LIN Wen-Yu について
Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN について
CHOU Chia-Yi について
Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN について
YANG Shih-Hsien について
Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN について
MAI Kai-Di について
Dept. of Electronics Engineering, Chang Gung Univ., Taoyuan, Taiwan, TWN について
CHIU Pei-chin について
Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN について
HSUEH W.J. について
Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN について
CHYI Jen-Inn について
Dept. of Electrical Engineering, National Central Univ., Jhongli 32001, Taiwan, TWN について
Microelectronic Engineering について
アンチモン化アルミニウム について
ヒ化インジウム について
イリジウム について
Schottky障壁 について
HEMT について
ウエハ【IC】 について
負荷試験 について
素子構造 について
ケイ素 について
ゲート【半導体】 について
熱安定性 について
耐熱性 について
ヘテロ構造 について
トランジスタ について
13-15族化合物を含む半導体-半導体接合 について
半導体-金属接触 について
耐火性 について
イリジウム について
ゲート について
シリコン基板 について
InAs について
HEMT について
評価 について