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J-GLOBAL ID：201502204544958287   整理番号：15A0700935

半導体高分子を用いた高歪条件下での高安定フレキシブル印刷有機薄膜トランジスタ

Highly stable flexible printed organic thin-film transistor devices under high strain conditions using semiconducting polymers

著者 (4件)： SEKINE Tomohito (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  FUKUDA Kenjiro (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  KUMAKI Daisuke (Yamagata Univ., Yamagata, JPN) ,  TOKITO Shizuo (Yamagata Univ., Yamagata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 54  号： 4S  ページ： 04DK10.1-04DK10.4  発行年： 2015年04月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高曲げ応力条件下におけるフレキシブル印刷有機薄膜トランジスタ(OTFT)の高い機械的安定性を報告した。半導体高分子,PBTTT-C16,を用いた有機TFT素子の機械的安定性は,典型的な小分子半導体,ペンタセン,を用いたOTFT素子のそれと同程度であった。小分子OTFTのドレイン電流は,トランジスタチャネルに平行な方向の1.5%引張歪においてほとんど60%まで減少したが,高分子ベースOTFTのそれは,同一引張歪において僅か10%までしか減少しなかった。さらに,高分子ベースOTFT素子は,1000曲げサイクルの後,電気的特性に大きな変化を示さなかった。この安定性は,半導体高分子層の高密度で良好な一様性に帰着できた。結果は,高分子ベース半導体材料を有するOTFT素子が,過酷な曲げ応力条件下において優れた安定性及び信頼性をもつことを示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  高分子薄膜 ,  *高分子半導体 ,  *曲げ ,  *安定性 ,  *信頼性 ,  歪 ,  電流
準シソーラス用語： ドレイン電流 ,  引張歪 ,  *機械的安定性 ,  *半導体高分子 ,  *有機薄膜トランジスタ

分類 (4件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  有機化合物の薄膜  (BK14070L) ,  固体の機械的性質一般  (BL01021C) ,  固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

物質索引 (1件)： 2,5-ビス(3-ヘキサデシルチオフェン-2-イル)チエノ[3,2-b]チオフェン

引用文献 (32件)：

• T. Sekitani, H. Nakajima, H. Maeda, T. Fukushima, T. Aida, K. Hata, and T. Someya, Nat. Mater. 8, 494 (2009).
• W. Kim, S. Kwon, S.-M. Lee, J. Y. Kim, Y. Han, E. Kim, K. C. Choi, S. Park, and B.-C. Park, Org. Electron. 14, 3007 (2013).
• G. Gustafsson, Y. Cao, G. M. Treacy, F. Klavetter, N. Colaneri, and A. J. Heeger, Nature 357, 477 (1992).
• T.-H. Han, Y. Lee, M.-R. Choi, S.-H. Woo, S.-H. Bae, B. H. Hong, J.-H. Ahn, and T.-W. Lee, Nat. Photonics 6, 105 (2012).
• Z. B. Wang, M. G. Helander, J. Qiu, D. P. Puzzo, M. T. Greiner, Z. M. Hudson, S. Wang, Z. W. Liu, and Z. H. Lu, Nat. Photonics 5, 753 (2011).

タイトルに関連する用語 (3件)： 半導体高分子 ,  歪 ,  有機薄膜トランジスタ