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J-GLOBAL ID：201502204684907543   整理番号：15A1343151

LED用基板材料と超精密加工プロセス~成膜プロセスを理解し最適基板品質を目指す~

著者 (3件)： 會田英雄 (並木精密宝石 NJC技研) ,  青田奈津子 (並木精密宝石 NJC技研) ,  武田秀俊 (並木精密宝石 NJC技研)
資料名： 光技術コンタクト  (Optical and Electro-Optical Engineering Contact)
巻： 53  号： 11  ページ： 36-42  発行年： 2015年11月20日 
JST資料番号： S0624A  ISSN： 0913-7289  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 窒化ガリウム(GaN)系発光ダイオード(LED)の半導体薄膜はサファイア基板を用いて成膜することが一般的である。LED薄膜を成膜可能な原子レベルで平坦なサファイア基板を提供してきた。LED成膜に対して最適なサファイア基板の開発のアプローチについて紹介した。オフ角度や反り形状がLED成膜プロセスに及ぼす効果を述べ,それらのパラメータを制御するための精密加工技術の重要性を説明した。特に,サファイア基板に求められる初期の反り量について述べ,基板の反りを自在に操る新技術を示した。発光層成膜中の反り量を相殺できる初期反りを与える技術として,サファイア基板の内部にパルスレーザを用いて改質層を形成する技術を提案した。能動的に基板形状を制御できる新技術である。LED用サファイア基板の製造工程と基板に求められる品質を述べた。サファイア基板の大口径化や発光波長の拡大では,基板の反り形状の制御が重要となる。

シソーラス用語： *超精密加工 ,  材料 ,  ウエハ【IC】 ,  半導体材料 ,  *基板 ,  *発光ダイオード ,  薄膜成長 ,  品質 ,  窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  反り ,  パルスレーザ照射 ,  改質
準シソーラス用語： *サファイア基板 ,  *基板材料

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  発光素子  (NC03082G)

引用文献 (4件)：

• Y. Ohno and M. Kuzuhara: IEEE Trans. Electron Devices 48 (2001) 517.
• H. Aida, S.-W. Kim, and T. Suzuki, J. Cryst. Growth 412 (2015) 60.
• E. Armour, F. Lu, M. Belousov, D. Lee, and W. Quinn: Semicond. Today 4 (2009) 82.
• S. Juodkazis, K. Nishimura, H. Misawa, T. Ebisui, R. Waki, S. Matsuo, and T. Okada: Adv. Mater. 18 (2006) 1316.

タイトルに関連する用語 (5件)： LED用基板 ,  超精密加工 ,  プロセス ,  成膜プロセス ,  理解