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J-GLOBAL ID：201502204953384129   整理番号：15A0996021

HgCdTe表面不活性化のためのICPECVD窒化シリコン膜の調査

Investigation of ICPECVD Silicon Nitride Films for HgCdTe Surface Passivation

著者 (7件)： ZHANG J. (The Univ. of Western Australia, School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, 35 Stirling Highway, 6009 ...) ,  UMANA-MEMBRENO G.A. (The Univ. of Western Australia, School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, 35 Stirling Highway, 6009 ...) ,  GU R. (The Univ. of Western Australia, School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, 35 Stirling Highway, 6009 ...) ,  LEI W. (The Univ. of Western Australia, School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, 35 Stirling Highway, 6009 ...) ,  ANTOSZEWSKI J. (The Univ. of Western Australia, School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, 35 Stirling Highway, 6009 ...) ,  DELL J.M. (The Univ. of Western Australia, School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, 35 Stirling Highway, 6009 ...) ,  FARAONE L. (The Univ. of Western Australia, School of Electrical, Electronic and Computer Engineering, 35 Stirling Highway, 6009 ...)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 44  号： 9  ページ： 2990-3001  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,著者らは,HgCdTeエピタキシー層の表面不活性化のためのSiN_x薄膜の調査結果を報告した。調査対象の水素化アモルファスSiN_x膜をSENTECH SI500Dを用いて成膜した。SI500Dは,電磁結合プラズマ強化化学蒸着(ICPECVD)システムであり,比較的低い基板温度(80°Cから100°C)の高密度低イオンエネルギープラズマ源を持つ。ICP電力,成膜温度及びNH₃/SiH₄比のSiN_x膜の性質への影響を調査するために,最初に,一連のSiN_x膜を様々な成膜条件の下でCdTe/GaAs基板及びシリコン基板上に成膜した。HgCdTeの表面不活性化に適したSiN_xの成膜条件を調査するために,容量-電圧測定を用いてSiN_xとn-Hg_0.68Cd_0.32Teのインタフェースの特性を調査し,高周波特性及び低周波特性から対応するインタフェースのトラップ密度D_itを抽出した。SiN_x/n-Hg_0.68Cd_0.32Teの金属-絶縁材-半導体(MIS)構造の解析により,100°CでICPECVDによって成膜したシリコンリッチなSiN_x膜が,HgCdTeベースデバイスの表面不活性化に適した電気的特性,すなわち,10¹⁰cm^-2eV^-1の中間レンジのインタフェーストラップ密度と約10¹¹cm^-2の固定された負のインタフェース電荷,を持つことがわかった。さらに,結合濃度及び表面不活性化性能の間の関係を,赤外(IR)吸収スペクトルに基づいて調査した。Si-H及びN-Hの結合濃度は不活性化性能と直接相関を持つことが分り,高いSi-H結合濃度と低いN-H結合濃度の組み合わせをもつSiN_x膜がHgCdTe上の電気的不活性層として適していることが分った。Copyright 2015 The Minerals, Metals & Materials Society Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *不動態化 ,  *テルル化カドミウム水銀 ,  *窒化ケイ素 ,  薄膜 ,  電磁結合 ,  プラズマCVD ,  密度 ,  赤外吸収スペクトル ,  インタフェイス ,  フォトダイオード
準シソーラス用語： *HgCdTe ,  トラップ密度 ,  プラズマ強化化学蒸着 ,  *窒化シリコン ,  *表面不活性化

分類 (3件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  半導体の表面構造  (BK15030A) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： HgCdTe ,  表面不活性化 ,  窒化シリコン膜 ,  調査