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J-GLOBAL ID：201502205108973439   整理番号：15A0446977

コンダクタンス法により分析したHfAlO/SiO₂/Siスタックの酸化物構造依存界面層欠陥

Oxide structure-dependent interfacial layer defects of HfAlO/SiO₂/Si stack analyzed by conductance method

著者 (2件)： DING Yi Ming (Electrical and Computer Engineering Dep., New Jersey Inst. of Technol., East Newark, New Jersey 07102) ,  MISRA Durgamadhab (Electrical and Computer Engineering Dep., New Jersey Inst. of Technol., East Newark, New Jersey 07102)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 2  ページ： 021203-021203-8  発行年： 2015年03月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 各種処理条件により作製した3nm HfAlO/0.5nm SiO₂/Siスタックをもつ金属-酸化物-半導体キャパシタ素子における界面特性を研究した。異なるAlドーピング,異なるポストアニーリング温度,及び異なる堆積ステップ及びスタックを考察した。等価酸化膜厚及びフラットバンド電圧(V_FB)を,容量-電圧測定から得た。測定後,簡単なアプローチを用いて,基板及び接触に関係した直列抵抗R_sにより導入されるエラーを補正した。界面状態密度(D_it)を,コンダクタンス法により計算し,D_itが,酸化ハフニウムアルミニウム膜の構造に依存することを観測した。非晶質構造が,最低D_it(2.76×10¹¹eV^-1cm^-2)を示すのに対し,正方晶HfO₂は,最高のD_it(1.27×10¹²eV^-1cm^-2)を示した。他の構造のD_it値は,観測された最高及び最低値の範囲内にあった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *薄膜コンデンサ ,  *酸化ハフニウム ,  *アルミニウム ,  *ドーピング ,  *二酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  界面 ,  コンダクタンス ,  *容量電圧特性 ,  *状態密度 ,  非晶質 ,  正方晶系 ,  *MOS構造 ,  表面準位 ,  膜厚 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜
準シソーラス用語： *MOSキャパシタ ,  *界面状態密度 ,  等価酸化膜厚 ,  高k誘電体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (8件)： コンダクタンス ,  分析 ,  SiO2 ,  Si ,  スタック ,  酸化物 ,  界面層 ,  欠陥