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J-GLOBAL ID：201502205152471026   整理番号：15A1057930

テトラセン薄膜電界効果トランジスタにおける厚さ依存移動度

Thickness-dependent mobility in tetracene thin-film field-effect-transistors

著者 (4件)： SHI Jun (Dep. of Physics and Guelph-Waterloo Physics Inst., Univ. of Guelph, Guelph, Ontario N1G 2W1, CAN) ,  JIANG De-tong (Dep. of Physics and Guelph-Waterloo Physics Inst., Univ. of Guelph, Guelph, Ontario N1G 2W1, CAN) ,  DUTCHER John R. (Dep. of Physics and Guelph-Waterloo Physics Inst., Univ. of Guelph, Guelph, Ontario N1G 2W1, CAN) ,  QIN Xiao-rong (Dep. of Physics and Guelph-Waterloo Physics Inst., Univ. of Guelph, Guelph, Ontario N1G 2W1, CAN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 33  号： 5  ページ： 050604-050604-6  発行年： 2015年09月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 2166-2746  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ゲート誘電体として酸化ケイ素を用いたテトラセン薄膜電界効果トランジスタにおける厚さ依存移動度について報告する。最小の電界移動度は約3単一層(ML)で始まった。膜厚とともに,移動度は線形に増大し,8MLの被覆率で約0.38cm²V^-1s^-1で飽和した。テトラセン膜の表面モルフォロジーと,厚さに対する移動度の依存性を説明できる可能性のある機構を論じた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  薄膜トランジスタ ,  依存性 ,  *移動度 ,  絶縁膜 ,  誘電体薄膜 ,  酸化ケイ素 ,  単一層 ,  モルフォロジー ,  表面構造 ,  ポリアセン ,  ゲート絶縁膜
準シソーラス用語： *電界効果トランジスタ ,  厚さ依存性 ,  ゲート誘電体 ,  表面モルフォロジー

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

物質索引 (1件)： テトラセン

タイトルに関連する用語 (5件)： テトラセン ,  薄膜 ,  電界効果トランジスタ ,  厚さ ,  移動度